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IRGS4607DPBF

IRGS4607DPBF

참조 용

부품 번호 IRGS4607DPBF
PNEDA 부품 번호 IRGS4607DPBF
설명 IGBT 600V 11A 58W D2PAK
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 4,626
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 7월 23 - 7월 28 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IRGS4607DPBF 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IRGS4607DPBF
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
IRGS4607DPBF, IRGS4607DPBF 데이터 시트 (총 페이지: 16, 크기: 843.38 KB)
PDFIRGR4607DTRPBF 데이터 시트 표지
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  • IRGS4607DPBF Distributor

IRGS4607DPBF 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
IGBT 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)11A
전류-수집기 펄스 (Icm)12A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.05V @ 15V, 4A
전력-최대58W
에너지 전환140µJ (on), 62µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지9nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C27ns/120ns
테스트 조건400V, 4A, 100Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)48ns
작동 온도-40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급자 장치 패키지D2PAK

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

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IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

80A

전류-수집기 펄스 (Icm)

160A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 40A

전력-최대

483W

에너지 전환

4.4mJ

입력 유형

Standard

게이트 차지

185nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

30ns/290ns

테스트 조건

600V, 40A, 12Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

355ns

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

PG-TO247-3

제조업체

IXYS

시리즈

GenX3™

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

75A

전류-수집기 펄스 (Icm)

300A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 40A

전력-최대

380W

에너지 전환

800µJ (on), 450µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

115nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

21ns/70ns

테스트 조건

480V, 40A, 3Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

25ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

공급자 장치 패키지

TO-268

FGP5N60LS

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

10A

전류-수집기 펄스 (Icm)

36A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.2V @ 12V, 14A

전력-최대

83W

에너지 전환

38µJ (on), 130µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

18.3nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

4.3ns/36ns

테스트 조건

400V, 5A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220-3

FGH30N60LSDTU

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

60A

전류-수집기 펄스 (Icm)

90A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.4V @ 15V, 30A

전력-최대

480W

에너지 전환

1.1mJ (on), 21mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

225nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

18ns/250ns

테스트 조건

400V, 30A, 6.8Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

35ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247-3

IRG4RC10SDTRRP

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

14A

전류-수집기 펄스 (Icm)

18A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 8A

전력-최대

38W

에너지 전환

310µJ (on), 3.28mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

15nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

76ns/815ns

테스트 조건

480V, 8A, 100Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

28ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

공급자 장치 패키지

D-Pak

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