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IRG4BH20K-S

IRG4BH20K-S

참조 용

부품 번호 IRG4BH20K-S
PNEDA 부품 번호 IRG4BH20K-S
설명 IGBT 1200V 11A 60W D2PAK
제조업체 Infineon Technologies
단가
1 ---------- $47.2799
100 ---------- $45.0636
250 ---------- $42.8474
500 ---------- $40.6311
750 ---------- $38.7843
1,000 ---------- $36.9374
재고 있음 799
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IRG4BH20K-S 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IRG4BH20K-S
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
IRG4BH20K-S, IRG4BH20K-S 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 168.6 KB)
PDFIRG4BH20K-S 데이터 시트 표지
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IRG4BH20K-S 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
IGBT 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1200V
전류-수집기 (Ic) (최대)11A
전류-수집기 펄스 (Icm)22A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic4.3V @ 15V, 5A
전력-최대60W
에너지 전환450µJ (on), 440µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지28nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C23ns/93ns
테스트 조건960V, 5A, 50Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)-
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급자 장치 패키지D2PAK

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

48A

전류-수집기 펄스 (Icm)

72A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.95V @ 15V, 24A

전력-최대

250W

에너지 전환

115µJ (on), 600µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

50nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

41ns/104ns

테스트 조건

400V, 24A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

89ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AD

SGL50N60RUFDTU

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

80A

전류-수집기 펄스 (Icm)

150A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 50A

전력-최대

250W

에너지 전환

1.68mJ (on), 1.03mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

145nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

26ns/66ns

테스트 조건

300V, 50A, 5.9Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

100ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-264-3, TO-264AA

공급자 장치 패키지

TO-264-3

STGB20NB37LZT4

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

PowerMESH™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

425V

전류-수집기 (Ic) (최대)

40A

전류-수집기 펄스 (Icm)

80A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2V @ 4.5V, 20A

전력-최대

200W

에너지 전환

11.8mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

51nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

2.3µs/2µs

테스트 조건

250V, 20A, 1kOhm, 4.5V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

D2PAK

IRGP30B120KD-EP

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

60A

전류-수집기 펄스 (Icm)

120A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

4V @ 15V, 60A

전력-최대

300W

에너지 전환

1.07mJ (on), 1.49mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

169nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

600V, 25A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

300ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AD

제조업체

IXYS

시리즈

GenX3™, XPT™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

240A

전류-수집기 펄스 (Icm)

700A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 120A

전력-최대

1500W

에너지 전환

6.75mJ (on), 5.1mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

412nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

35ns/176ns

테스트 조건

600V, 100A, 1Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-264-3, TO-264AA

공급자 장치 패키지

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