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IRG4BC30S-STRLP

IRG4BC30S-STRLP

참조 용

부품 번호 IRG4BC30S-STRLP
PNEDA 부품 번호 IRG4BC30S-STRLP
설명 IGBT 600V 34A 100W D2PAK
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 3,078
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 5월 6 - 5월 11 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IRG4BC30S-STRLP 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IRG4BC30S-STRLP
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
IRG4BC30S-STRLP, IRG4BC30S-STRLP 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 156.65 KB)
PDFIRG4BC30S-STRLP 데이터 시트 표지
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  • IRG4BC30S-STRLP Distributor

IRG4BC30S-STRLP 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
IGBT 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)34A
전류-수집기 펄스 (Icm)68A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic1.6V @ 15V, 18A
전력-최대100W
에너지 전환260µJ (on), 3.45mJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지50nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C22ns/540ns
테스트 조건480V, 18A, 23Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)-
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급자 장치 패키지D2PAK

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

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IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

40A

전류-수집기 펄스 (Icm)

80A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 20A

전력-최대

170W

에너지 전환

800µJ

입력 유형

Standard

게이트 차지

120nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

17ns/194ns

테스트 조건

400V, 20A, 14.6Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

PG-TO247-3

IRGBC40S

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

50A

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 31A

전력-최대

160W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

-

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220AB

제조업체

IXYS

시리즈

GenX3™

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

60A

전류-수집기 펄스 (Icm)

150A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 20A

전력-최대

220W

에너지 전환

270µJ (on), 90µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

38nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

16ns/42ns

테스트 조건

300V, 20A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220AB

SGW23N60UFDTM

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

23A

전류-수집기 펄스 (Icm)

92A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 12A

전력-최대

100W

에너지 전환

115µJ (on), 135µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

49nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

17ns/60ns

테스트 조건

300V, 12A, 23Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

60ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

D²PAK

제조업체

IXYS

시리즈

GenX3™

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

75A

전류-수집기 펄스 (Icm)

250A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 30A

전력-최대

300W

에너지 전환

410µJ (on), 230µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

77nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

19ns/60ns

테스트 조건

400V, 30A, 3Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

25ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AD (IXGH)

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