IRFR9214TRL
참조 용
| 부품 번호 | IRFR9214TRL |
| PNEDA 부품 번호 | IRFR9214TRL |
| 설명 | MOSFET P-CH 250V 2.7A DPAK |
| 제조업체 | Vishay Siliconix |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 6,966 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 7월 23 - 7월 28 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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IRFR9214TRL 리소스
| 브랜드 | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | IRFR9214TRL |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
| 데이터 시트 |
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- Vishay Siliconix Distributor
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- IRFR9214TRL Distributor
IRFR9214TRL 사양
| 제조업체 | Vishay Siliconix |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | P-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 250V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 2.7A (Tc) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 3Ohm @ 1.7A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 4V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 14nC @ 10V |
| Vgs (최대) | ±20V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 220pF @ 25V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 50W (Tc) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 공급자 장치 패키지 | D-Pak |
| 패키지 / 케이스 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 50A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4V, 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs 28mOhm @ 31A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 66nC @ 5V Vgs (최대) ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 3300pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) - 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 TO-262-3 패키지 / 케이스 TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 * FET 유형 - 기술 - 드레인-소스 전압 (Vdss) - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) - Rds On (최대) @ Id, Vgs - Vgs (th) (최대) @ Id - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - Vgs (최대) - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - FET 기능 - 전력 손실 (최대) - 작동 온도 - 장착 유형 - 공급자 장치 패키지 - 패키지 / 케이스 - |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) - Rds On (최대) @ Id, Vgs - Vgs (th) (최대) @ Id - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - Vgs (최대) - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - FET 기능 - 전력 손실 (최대) - 작동 온도 - 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 PG-TO220-3 패키지 / 케이스 TO-220-3 |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 20A (Ta), 210A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 1.2mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 62.1nC @ 4.5V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 10930pF @ 15V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 1.06W (Ta), 104W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 패키지 / 케이스 8-PowerTDFN, 5 Leads |
제조업체 Central Semiconductor Corp 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 3A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 150mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 15nC @ 10V Vgs (최대) 20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 975pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 2W (Ta) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 SOT-223 패키지 / 케이스 TO-261-4, TO-261AA |
