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IRFR9210

IRFR9210

참조 용

부품 번호 IRFR9210
PNEDA 부품 번호 IRFR9210
설명 MOSFET P-CH 200V 1.9A DPAK
제조업체 Vishay Siliconix
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IRFR9210 리소스

브랜드 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IRFR9210
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
IRFR9210, IRFR9210 데이터 시트 (총 페이지: 11, 크기: 792.38 KB)
PDFIRFR9210TRR 데이터 시트 표지
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  • IRFR9210 Distributor

IRFR9210 사양

제조업체Vishay Siliconix
시리즈-
FET 유형P-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)1.9A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs3Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs8.9nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds170pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)2.5W (Ta), 25W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지D-Pak
패키지 / 케이스TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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드레인-소스 전압 (Vdss)

250V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

82A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

35mOhm @ 41A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

142nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

4800pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

500W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

TO-268

패키지 / 케이스

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

BSS209PW

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

OptiMOS™

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

580mA (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

550mOhm @ 580mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.2V @ 3.5µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

1.38nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±12V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

89.9pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

520mW (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

PG-SOT323-3

패키지 / 케이스

SC-70, SOT-323

제조업체

IXYS

시리즈

TrenchMV™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

75V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

55A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

19.5mOhm @ 27.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 25µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

33nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1400pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

130W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

OptiMOS™

FET 유형

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드레인-소스 전압 (Vdss)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

120A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

6V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3.4mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.8V @ 108µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

87nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

6240pF @ 40V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

167W (Tc)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

56A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

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