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IRFI530G

IRFI530G

참조 용

부품 번호 IRFI530G
PNEDA 부품 번호 IRFI530G
제조업체 Vishay Siliconix
설명 MOSFET N-CH 100V 9.7A TO220FP
단가
  • 1$ 0.0000
  • 100$ 0.0000
  • 500$ 0.0000
  • 1000$ 0.0000
  • 2500$ 0.0000
재고 있음 447
창고 USA, Europe, China, Hong Kong SAR
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보증 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IRFI530G 리소스

브랜드 Vishay Siliconix
Mfr. 부품 번호IRFI530G
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
IRFI530G, IRFI530G 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 936.42 KB)
PDFIRFI530G 데이터 시트 표지
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IRFI530G 사양

제조업체Vishay Siliconix
시리즈-
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)9.7A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs160mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs33nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds670pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)42W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Through Hole
공급자 장치 패키지TO-220-3
패키지 / 케이스TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

PNEDA는 고품질 전자 부품을 고객에게 빠르고 안정적으로 공급함으로써 업계 리더가되기 위해 노력하고 있습니다.

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

50A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3.8mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 80µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

41nC @ 5V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

5199pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

115W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

PG-TO252-3

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

NTP095N65S3HF

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

*

FET 유형

-

기술

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

-

장착 유형

-

공급자 장치 패키지

-

패키지 / 케이스

-

PMFPB8032XP,115

Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

-

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.7A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

102mOhm @ 2.7A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

8.6nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±12V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

550pF @ 10V

FET 기능

Schottky Diode (Isolated)

전력 손실 (최대)

485mW (Ta), 6.25W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

6-HUSON-EP (2x2)

패키지 / 케이스

6-UDFN Exposed Pad

IXFX32N80P

IXYS

제조업체

IXYS

시리즈

HiPerFET™, PolarHT™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

800V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

32A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

270mOhm @ 16A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 8mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

150nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

8800pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

830W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

PLUS247™-3

패키지 / 케이스

TO-247-3

STD2N80K5

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드레인-소스 전압 (Vdss)

800V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4.5Ohm @ 1A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 100µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

3nC @ 10V

Vgs (최대)

30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

95pF @ 100V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

45W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

DPAK

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Certificates

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