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IRFHM792TRPBF

IRFHM792TRPBF IRFHM792TRPBF

참조 용

부품 번호 IRFHM792TRPBF
PNEDA 부품 번호 IRFHM792TRPBF
설명 MOSFET 2N-CH 100V 2.3A 8PQFN
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 5,400
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 8월 20 - 8월 25 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IRFHM792TRPBF 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IRFHM792TRPBF
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

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  • IRFHM792TRPBF Distributor

IRFHM792TRPBF 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈HEXFET®
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)2.3A
Rds On (최대) @ Id, Vgs195mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4V @ 10µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs6.3nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds251pF @ 25V
전력-최대2.3W
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-PowerVDFN
공급자 장치 패키지8-PQFN (3.3x3.3), Power33

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드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

725mA, 500mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

380mOhm @ 500mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

0.68nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

83pF @ 10V

전력-최대

280mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

17A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

684mOhm @ 8.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 2.5mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

187nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

5155pF @ 25V

전력-최대

390W

작동 온도

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장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP3

공급자 장치 패키지

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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FET 유형

-

FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

-

작동 온도

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SMD, Flat Lead

공급자 장치 패키지

8-EMH

BUK7K6R8-40E,115

Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

40A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

6.8mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

28.9nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1947pF @ 25V

전력-최대

64W

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-1205, 8-LFPAK56

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제조업체

Renesas Electronics America

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate, 2.5V Drive

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

62mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

4.5nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

330pF @ 10V

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