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IRF7757TR

IRF7757TR

참조 용

부품 번호 IRF7757TR
PNEDA 부품 번호 IRF7757TR
설명 MOSFET 2N-CH 20V 4.8A TSSOP-8
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 6,156
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IRF7757TR 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IRF7757TR
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
IRF7757TR, IRF7757TR 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 132.27 KB)
PDFIRF7757TR 데이터 시트 표지
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  • IRF7757TR Distributor

IRF7757TR 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈HEXFET®
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)4.8A
Rds On (최대) @ Id, Vgs35mOhm @ 4.8A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id1.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs23nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds1340pF @ 15V
전력-최대1.2W
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
공급자 장치 패키지8-TSSOP

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

165A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

7mOhm @ 82.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 8mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

480nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

8800pF @ 25V

전력-최대

390W

작동 온도

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

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Rds On (최대) @ Id, Vgs

5.5mOhm @ 60A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

100nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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ISOPLUS-DIL™

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Vishay Siliconix

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TrenchFET®

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

30mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

11nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

320pF @ 15V

전력-최대

10.4W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

PowerPAK® ChipFET™ Dual

공급자 장치 패키지

PowerPAK® ChipFet Dual

SI4590DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.4A, 2.8A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

57mOhm @ 2A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

11.5nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

360pF @ 50V

전력-최대

2.4W, 3.4W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

SSM6N40TU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

*

FET 유형

-

FET 기능

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

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