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IRF7503TR

IRF7503TR

참조 용

부품 번호 IRF7503TR
PNEDA 부품 번호 IRF7503TR
설명 MOSFET 2N-CH 30V 2.4A MICRO8
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 6,840
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 7월 25 - 7월 30 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IRF7503TR 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IRF7503TR
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
IRF7503TR, IRF7503TR 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 114.71 KB)
PDFIRF7503TR 데이터 시트 표지
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  • IRF7503TR Distributor

IRF7503TR 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈HEXFET®
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)2.4A
Rds On (최대) @ Id, Vgs135mOhm @ 1.7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs12nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds210pF @ 25V
전력-최대1.25W
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
공급자 장치 패키지Micro8™

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

220mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

790pF @ 10V

전력-최대

5W

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FET 유형

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FET 기능

Logic Level Gate, 5V Drive

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

45A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

1.9V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

13.7nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1860pF @ 15V

전력-최대

2.8W

작동 온도

-55°C ~ 155°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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EPC

시리즈

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FET 유형

3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)

FET 기능

GaNFET (Gallium Nitride)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V, 100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1.7A, 500mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

190mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3Ohm @ 2.5A, 5V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

22pF @ 30V, 7pF @ 30V

전력-최대

-

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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제조업체

시리즈

NexFET™

FET 유형

2 N-Channel (Half Bridge)

FET 기능

Logic Level Gate, 5V Drive

드레인-소스 전압 (Vdss)

25V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

20A (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

9.1mOhm @ 20A, 5V, 3.4mOhm @ 20A, 5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.9V @ 250µA, 1.6V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

3.8nC @ 45V, 7.4nC @ 45V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

494pF @ 12.5V, 970pF @ 12.5V

전력-최대

6W

작동 온도

-55°C ~ 125°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerTDFN

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Rds On (최대) @ Id, Vgs

8mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.1V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

15.7nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2110pF @ 25V

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