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IRF634STRL

IRF634STRL

참조 용

부품 번호 IRF634STRL
PNEDA 부품 번호 IRF634STRL
설명 MOSFET N-CH 250V 8.1A D2PAK
제조업체 Vishay Siliconix
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재고 있음 4,122
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IRF634STRL 리소스

브랜드 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IRF634STRL
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
IRF634STRL, IRF634STRL 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 171.7 KB)
PDFIRF634SPBF 데이터 시트 표지
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IRF634STRL 사양

제조업체Vishay Siliconix
시리즈-
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)250V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)8.1A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs450mOhm @ 5.1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs41nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds770pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)3.1W (Ta), 74W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지D2PAK
패키지 / 케이스TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

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드레인-소스 전압 (Vdss)

1200V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

65A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

20V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

69mOhm @ 40A, 20V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

122nC @ 20V

Vgs (최대)

+25V, -10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1900pF @ 400V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

318W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 200°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

HiP247™

패키지 / 케이스

TO-247-3

IPP60R1K4C6XKSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.2A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.4Ohm @ 1.1A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.5V @ 90µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

1.1nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

200pF @ 100V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

28.4W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

PG-TO220-3

패키지 / 케이스

TO-220-3

FKI06190

Sanken

제조업체

Sanken

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

30A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

15.3mOhm @ 19.8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 350µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

23.7nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1510pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

32W (Tc)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-220F

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack

RDD022N50TL

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

500V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

5.4Ohm @ 1A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.7V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

6.7nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

168pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

20W (Tc)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

CPT3

패키지 / 케이스

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IRF7220TRPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

14V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

11A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

12mOhm @ 11A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

600mV @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

125nC @ 5V

Vgs (최대)

±12V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

8075pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.5W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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