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IRF6150

IRF6150

참조 용

부품 번호 IRF6150
PNEDA 부품 번호 IRF6150
설명 MOSFET 2P-CH 20V 7.9A FLIP-FET
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 6,840
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IRF6150 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IRF6150
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
IRF6150, IRF6150 데이터 시트 (총 페이지: 3, 크기: 118.17 KB)
PDFIRF6150 데이터 시트 표지
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IRF6150 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈HEXFET®
FET 유형2 P-Channel (Dual)
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)7.9A
Rds On (최대) @ Id, Vgs36mOhm @ 7.9A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id1.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds-
전력-최대3W
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스16-WFBGA
공급자 장치 패키지16-FlipFet™

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.9A, 3.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

65mOhm @ 3.9A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

15nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

235pF @ 10V

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작동 온도

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제조업체

ON Semiconductor

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FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5.5A, 3.8A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

21mOhm @ 5.5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

17nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1082pF @ 10V

전력-최대

600mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

17A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

684mOhm @ 8.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 2.5mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

187nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

5155pF @ 25V

전력-최대

390W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

30A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

110mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 4mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

96nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

6250pF @ 25V

전력-최대

320W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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