IRF3711ZCLPBF
참조 용
| 부품 번호 | IRF3711ZCLPBF |
| PNEDA 부품 번호 | IRF3711ZCLPBF |
| 설명 | MOSFET N-CH 20V 92A TO-262 |
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 7,236 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 7월 1 - 7월 6 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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IRF3711ZCLPBF 리소스
| 브랜드 | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | IRF3711ZCLPBF |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
| 데이터 시트 |
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IRF3711ZCLPBF 사양
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 시리즈 | HEXFET® |
| FET 유형 | N-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 20V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 92A (Tc) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 6mOhm @ 15A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 2.45V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 24nC @ 4.5V |
| Vgs (최대) | ±20V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 2150pF @ 10V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 79W (Tc) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 공급자 장치 패키지 | TO-262 |
| 패키지 / 케이스 | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 P-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 50V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 70mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 1.5V, 4V Rds On (최대) @ Id, Vgs 23Ohm @ 40mA, 4V Vgs (th) (최대) @ Id - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 1.4nC @ 10V Vgs (최대) ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 7.4pF @ 10V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 150mW (Ta) 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 3-SSFP 패키지 / 케이스 SC-81 |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 OptiMOS™ FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 300V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 44A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 41mOhm @ 44A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 270µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 87nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 7180pF @ 100V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 300W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 PG-TO220-3 패키지 / 케이스 TO-220-3 |
제조업체 Nexperia USA Inc. 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 89A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 9.6mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 82nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 4454pF @ 50V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 211W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 D2PAK 패키지 / 케이스 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
제조업체 Nexperia USA Inc. 시리즈 TrenchMOS™ FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 26A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 29mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 7.9nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 492pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 37W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 LFPAK56, Power-SO8 패키지 / 케이스 SC-100, SOT-669 |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 7.1A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4.5V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 47nC @ 10V Vgs (최대) ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1107pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 35W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 TO-220FP 패키지 / 케이스 TO-220-3 Full Pack |
