IRF3546MTRPBF
참조 용
| 부품 번호 | IRF3546MTRPBF |
| PNEDA 부품 번호 | IRF3546MTRPBF |
| 설명 | MOSFET 4N-CH 25V 16A/20A 41PQFN |
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 4,104 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 7월 24 - 7월 29 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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IRF3546MTRPBF 리소스
| 브랜드 | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | IRF3546MTRPBF |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
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IRF3546MTRPBF 사양
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | 4 N-Channel |
| FET 기능 | Logic Level Gate |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 25V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 16A (Tc), 20A (Tc) |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 3.9mOhm @ 27A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 2.1V @ 35µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 15nC @ 4.5V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1310pF @ 13V |
| 전력-최대 | - |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 41-PowerVFQFN |
| 공급자 장치 패키지 | 41-PQFN (6x8) |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Rohm Semiconductor 시리즈 - FET 유형 2 P-Channel (Dual) FET 기능 - 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 4A Rds On (최대) @ Id, Vgs 70mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 6.7nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 305pF @ 15V 전력-최대 2W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-PowerUDFN 공급자 장치 패키지 HUML2020L8 |
제조업체 Advanced Linear Devices Inc. 시리즈 - FET 유형 4 P-Channel, Matched Pair FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 10.6V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) - Rds On (최대) @ Id, Vgs 1800Ohm @ 5V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 1µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 3pF @ 5V 전력-최대 500mW 작동 온도 0°C ~ 70°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 14-SOIC |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 2 P-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 8V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 775mA Rds On (최대) @ Id, Vgs 300mOhm @ 570mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 4nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 225pF @ 8V 전력-최대 270mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지 SC-88/SC70-6/SOT-363 |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 Automotive, AEC-Q101, HEXFET® FET 유형 N and P-Channel Complementary FET 기능 Logic Level Gate, 2.5V Drive 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 5.1A, 3.2A Rds On (최대) @ Id, Vgs 55mOhm @ 5.1A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1.4V @ 110µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 2.8nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 419pF @ 10V 전력-최대 2.5W 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지 PG-TSDSON-8-FL |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 PowerTrench® FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 12A Rds On (최대) @ Id, Vgs 10mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.8V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 30nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1975pF @ 20V 전력-최대 800mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-PowerWDFN 공급자 장치 패키지 8-Power33 (3x3) |
