IRD3CH42DB6
참조 용
| 부품 번호 | IRD3CH42DB6 |
| PNEDA 부품 번호 | IRD3CH42DB6 |
| 설명 | DIODE GEN PURP 1.2KV 75A DIE |
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 3,384 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 6월 14 - 6월 19 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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IRD3CH42DB6 리소스
| 브랜드 | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | IRD3CH42DB6 |
| 분류 | 반도체 › 다이오드 및 정류기 › 정류기-싱글 |
| 데이터 시트 |
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IRD3CH42DB6 사양
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 시리즈 | - |
| 다이오드 유형 | Standard |
| 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) | 1200V |
| 전류-평균 정류 (Io) | 75A |
| 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If | 2.7V @ 75A |
| 속도 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| 역 복구 시간 (trr) | 285ns |
| 전류-역방향 누설 @ Vr | 1.5µA @ 1200V |
| 커패시턴스 @ Vr, F | - |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | Die |
| 공급자 장치 패키지 | Die |
| 작동 온도-접합 | -40°C ~ 150°C |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 - 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 50V 전류-평균 정류 (Io) 2A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 900mV @ 2A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 30ns 전류-역방향 누설 @ Vr 10µA @ 50V 커패시턴스 @ Vr, F 18pF @ 4V, 1MHz 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 DO-214AA, SMB 공급자 장치 패키지 DO-214AA (SMB) 작동 온도-접합 -55°C ~ 150°C |
제조업체 GeneSiC Semiconductor 시리즈 - 다이오드 유형 Standard, Reverse Polarity 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 600V 전류-평균 정류 (Io) 100A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.5V @ 100A 속도 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 17mA @ 600V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Chassis, Stud Mount 패키지 / 케이스 DO-205AA, DO-8, Stud 공급자 장치 패키지 DO-205AA (DO-8) 작동 온도-접합 -40°C ~ 200°C |
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 - 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 400V 전류-평균 정류 (Io) 8A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.1V @ 8A 속도 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 10µA @ 400V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-220-2 공급자 장치 패키지 TO-220AC 작동 온도-접합 -55°C ~ 150°C |
제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 Automotive, AEC-Q101, SBR® 다이오드 유형 Super Barrier 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 40V 전류-평균 정류 (Io) 3A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 500mV @ 3A 속도 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 400µA @ 40V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 POWERDI®123 공급자 장치 패키지 PowerDI™ 123 작동 온도-접합 -65°C ~ 150°C |
제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈 - 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 100V 전류-평균 정류 (Io) 150mA 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 720mV @ 5mA 속도 Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 역 복구 시간 (trr) 4ns 전류-역방향 누설 @ Vr 5µA @ 75V 커패시턴스 @ Vr, F 4pF @ 0V, 1MHz 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 DO-204AH, DO-35, Axial 공급자 장치 패키지 DO-35 작동 온도-접합 -65°C ~ 150°C |
