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IR20153SPBF

IR20153SPBF

참조 용

부품 번호 IR20153SPBF
PNEDA 부품 번호 IR20153SPBF
제조업체 Infineon Technologies
설명 IC DRIVER HI SIDE RECHARGE 8-SOI
단가
  • 1$ 0.0000
  • 100$ 0.0000
  • 500$ 0.0000
  • 1000$ 0.0000
  • 2500$ 0.0000
재고 있음 351
창고 USA, Europe, China, Hong Kong SAR
지불 Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
배송 DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery
예상 배송 5월 10 - 5월 15 (신속 배송 선택)
보증 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IR20153SPBF 리소스

브랜드 Infineon Technologies
Mfr. 부품 번호IR20153SPBF
분류반도체전력 관리 ICPMIC-게이트 드라이버
데이터 시트
IR20153SPBF, IR20153SPBF 데이터 시트 (총 페이지: 15, 크기: 220.18 KB)
PDFIR20153STRPBF 데이터 시트 표지
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IR20153SPBF 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
구동 구성High-Side
채널 유형Single
드라이버 수1
게이트 유형N-Channel MOSFET
전압-공급5V ~ 20V
논리 전압-VIL, VIH1.4V, 3V
전류-피크 출력 (소스, 싱크)1.5A, 1.5A
입력 유형Inverting
높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)150V
상승 / 하강 시간 (일반)200ns, 100ns
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SOIC

PNEDA는 고품질 전자 부품을 고객에게 빠르고 안정적으로 공급함으로써 업계 리더가되기 위해 노력하고 있습니다.

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Microchip Technology

시리즈

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구동 구성

High-Side or Low-Side

채널 유형

Synchronous

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel, P-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 18V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

9A, 9A

입력 유형

Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

22ns, 22ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-WFDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

8-TDFN (2x3)

제조업체

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Single

드라이버 수

1

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

4V ~ 12.6V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.4V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

1.3A, 7.6A

입력 유형

Inverting, Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

82ns, 12.5ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-WDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

6-WSON (3x3)

1EDN7550BXTSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

EiceDriver™

구동 구성

High-Side

채널 유형

Single

드라이버 수

1

게이트 유형

N-Channel, P-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 20V

논리 전압-VIL, VIH

-

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

4A, 8A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

84V

상승 / 하강 시간 (일반)

6.5ns, 4.5ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-23-6

공급자 장치 패키지

PG-SOT23-6

NCP5111PG

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Synchronous

드라이버 수

2

게이트 유형

IGBT, N-Channel MOSFET

전압-공급

10V ~ 20V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.3V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

250mA, 500mA

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

600V

상승 / 하강 시간 (일반)

85ns, 35ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

8-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

8-PDIP

ISL89412IP

Renesas Electronics America Inc.

제조업체

Renesas Electronics America Inc.

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel, P-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 18V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.4V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

2A, 2A

입력 유형

Inverting, Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

7.5ns, 10ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

8-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

8-PDIP

Certificates

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