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IPW65R190CFDAFKSA1

IPW65R190CFDAFKSA1

참조 용

부품 번호 IPW65R190CFDAFKSA1
PNEDA 부품 번호 IPW65R190CFDAFKSA1
설명 MOSFET N-CH 650V 17.5A TO247
제조업체 Infineon Technologies
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재고 있음 6,408
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IPW65R190CFDAFKSA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IPW65R190CFDAFKSA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일

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  • IPW65R190CFDAFKSA1 Distributor

IPW65R190CFDAFKSA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)17.5A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs190mOhm @ 7.3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4.5V @ 700µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs68nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds1850pF @ 100V
FET 기능-
전력 손실 (최대)151W (Tc)
작동 온도-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
공급자 장치 패키지PG-TO247-3
패키지 / 케이스TO-247-3

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제조업체

ON Semiconductor

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

250V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.8A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.75Ohm @ 1.4A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

5.6nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

200pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

32W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-220F

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack

DMN2024U-13

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6.8A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

25mOhm @ 6.5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

900mV @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

7.1nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

647pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

800mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

SOT-23

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

PMPB215ENEA/FX

Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

Automotive, AEC-Q101

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

80V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.8A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

230mOhm @ 1.9A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.7V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

7.2nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

215pF @ 40V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.6W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

6-DFN2020MD (2x2)

패키지 / 케이스

6-UDFN Exposed Pad

IRFU320PBF

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

400V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.1A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.8Ohm @ 1.9A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

20nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

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350pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.5W (Ta), 42W (Tc)

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드레인-소스 전압 (Vdss)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

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드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

28mOhm @ 10.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.6V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

14.4nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

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715pF @ 20V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1W (Ta), 23W (Tc)

작동 온도

150°C (TJ)

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