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IPP65R110CFDXKSA1

IPP65R110CFDXKSA1

참조 용

부품 번호 IPP65R110CFDXKSA1
PNEDA 부품 번호 IPP65R110CFDXKSA1
설명 MOSFET N-CH 700V 31.2A TO220
제조업체 Infineon Technologies
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IPP65R110CFDXKSA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IPP65R110CFDXKSA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일

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  • IPP65R110CFDXKSA1 Distributor

IPP65R110CFDXKSA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈CoolMOS™
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)700V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)31.2A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs110mOhm @ 12.7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4.5V @ 1.3mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs118nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds3240pF @ 100V
FET 기능-
전력 손실 (최대)277.8W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
공급자 장치 패키지PG-TO220-3
패키지 / 케이스TO-220-3

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

16.5A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

7mOhm @ 16.5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

48nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±12V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3355pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

8-SO

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

NTB75N03-6T4G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

75A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

6.5mOhm @ 37.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

75nC @ 5V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

5635pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.5W (Ta), 125W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

D2PAK

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

STI30NM60N

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

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FET 유형

N-Channel

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MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

25A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

130mOhm @ 12.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

91nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2700pF @ 50V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

190W (Tc)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

I2PAK (TO-262)

패키지 / 케이스

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

TSM60NB190CF C0G

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

18A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

190mOhm @ 3.7A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

32nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1311pF @ 100V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

59.5W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

ITO-220S

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack

제조업체

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FET 유형

N-Channel

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MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

17A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

110mOhm @ 9A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

40nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

633pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

79W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

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패키지 / 케이스

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