IPP015N04NGXKSA1
참조 용
| 부품 번호 | IPP015N04NGXKSA1 |
| PNEDA 부품 번호 | IPP015N04NGXKSA1 |
| 설명 | MOSFET N-CH 40V 120A TO220-3 |
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 7,920 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 7월 21 - 7월 26 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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IPP015N04NGXKSA1 리소스
| 브랜드 | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | IPP015N04NGXKSA1 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
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- IPP015N04NGXKSA1 Distributor
IPP015N04NGXKSA1 사양
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 시리즈 | OptiMOS™ |
| FET 유형 | N-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 40V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 120A (Tc) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 1.5mOhm @ 100A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 4V @ 200µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 250nC @ 10V |
| Vgs (최대) | ±20V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 20000pF @ 20V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 250W (Tc) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 공급자 장치 패키지 | PG-TO220-3-1 |
| 패키지 / 케이스 | TO-220-3 |
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제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈 U-MOSVI FET 유형 P-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 3.9A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 1.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs 93mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 4.6nC @ 4.5V Vgs (최대) ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 290pF @ 10V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 1W (Ta) 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 SOT-23F 패키지 / 케이스 SOT-23-3 Flat Leads |
제조업체 Nexperia USA Inc. 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 7A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs 22mOhm @ 7A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 900mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 17nC @ 4.5V Vgs (최대) ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1136pF @ 10V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 1.7W (Ta), 12.5W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 DFN2020MD-6 패키지 / 케이스 6-UDFN Exposed Pad |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 OptiMOS™ FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 55V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 4.4mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 230nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 5660pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 300W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 PG-TO263-3-2 패키지 / 케이스 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
