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IPB60R600C6ATMA1

IPB60R600C6ATMA1

참조 용

부품 번호 IPB60R600C6ATMA1
PNEDA 부품 번호 IPB60R600C6ATMA1
설명 MOSFET N-CH 600V 7.3A TO263
제조업체 Infineon Technologies
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예상 배송 7월 23 - 7월 28 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IPB60R600C6ATMA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IPB60R600C6ATMA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
IPB60R600C6ATMA1, IPB60R600C6ATMA1 데이터 시트 (총 페이지: 18, 크기: 1,224.94 KB)
PDFIPB60R600C6ATMA1 데이터 시트 표지
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  • IPB60R600C6ATMA1 Distributor

IPB60R600C6ATMA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈CoolMOS™
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)7.3A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs600mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id3.5V @ 200µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs20.5nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds440pF @ 100V
FET 기능-
전력 손실 (최대)63W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지D²PAK (TO-263AB)
패키지 / 케이스TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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N-Channel

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드레인-소스 전압 (Vdss)

900V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.6A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3.7Ohm @ 2.2A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

78nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1200pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

125W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-247-3

패키지 / 케이스

TO-247-3

STP140N8F7

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

80V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

90A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4.3mOhm @ 45A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

96nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

6340pF @ 40V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

200W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-220

패키지 / 케이스

TO-220-3

IRLR2905TRR

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

55V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

42A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

27mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

48nC @ 5V

Vgs (최대)

±16V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1700pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

110W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

D-Pak

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

AOI2N60A

Alpha & Omega Semiconductor

제조업체

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4.7Ohm @ 1A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

11nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

295pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

57W (Tc)

작동 온도

-50°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

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패키지 / 케이스

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드레인-소스 전압 (Vdss)

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110A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

7mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 100µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

67nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3080pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

230W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

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