IKA20N65ET6XKSA1
참조 용
| 부품 번호 | IKA20N65ET6XKSA1 |
| PNEDA 부품 번호 | IKA20N65ET6XKSA1 |
| 설명 | IGBT 650V 20A TO220-3 |
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 2,826 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 7월 9 - 7월 14 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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IKA20N65ET6XKSA1 리소스
| 브랜드 | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | IKA20N65ET6XKSA1 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-IGBT-단일 |
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- IKA20N65ET6XKSA1 Distributor
IKA20N65ET6XKSA1 사양
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 시리즈 | * |
| IGBT 유형 | - |
| 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) | - |
| 전류-수집기 (Ic) (최대) | - |
| 전류-수집기 펄스 (Icm) | - |
| Vce (on) (최대) @ Vge, Ic | - |
| 전력-최대 | - |
| 에너지 전환 | - |
| 입력 유형 | - |
| 게이트 차지 | - |
| Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C | - |
| 테스트 조건 | - |
| 역 복구 시간 (trr) | - |
| 작동 온도 | - |
| 장착 유형 | - |
| 패키지 / 케이스 | - |
| 공급자 장치 패키지 | - |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Infineon Technologies 시리즈 - IGBT 유형 - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 430V 전류-수집기 (Ic) (최대) 20A 전류-수집기 펄스 (Icm) - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic 1.75V @ 5V, 14A 전력-최대 125W 에너지 전환 - 입력 유형 Logic 게이트 차지 27nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C 900ns/6µs 테스트 조건 - 역 복구 시간 (trr) - 작동 온도 -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 공급자 장치 패키지 D2PAK |
제조업체 IXYS 시리즈 GenX3™, XPT™ IGBT 유형 - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 900V 전류-수집기 (Ic) (최대) 310A 전류-수집기 펄스 (Icm) 840A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 140A 전력-최대 1630W 에너지 전환 4.3mJ (on), 4mJ (off) 입력 유형 Standard 게이트 차지 330nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C 40ns/145ns 테스트 조건 450V, 100A, 1Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr) - 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-264-3, TO-264AA 공급자 장치 패키지 TO-264 (IXYK) |
제조업체 IXYS 시리즈 BIMOSFET™ IGBT 유형 - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 2500V 전류-수집기 (Ic) (최대) 116A 전류-수집기 펄스 (Icm) 750A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic 3V @ 15V, 64A 전력-최대 500W 에너지 전환 - 입력 유형 Standard 게이트 차지 400nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C - 테스트 조건 - 역 복구 시간 (trr) 160ns 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 ISOPLUSi5-Pak™ 공급자 장치 패키지 ISOPLUSi5-Pak™ |
제조업체 IXYS 시리즈 - IGBT 유형 NPT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대) 25A 전류-수집기 펄스 (Icm) - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic 2.95V @ 15V, 10A 전력-최대 300W 에너지 전환 1.1mJ (on), 130µJ (off) 입력 유형 Standard 게이트 차지 36nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C - 테스트 조건 600V, 10A, 47Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr) 300ns 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-220-3 공급자 장치 패키지 TO-220AB |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - IGBT 유형 - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 600V 전류-수집기 (Ic) (최대) 34A 전류-수집기 펄스 (Icm) 56A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 7A 전력-최대 125W 에너지 전환 55µJ (on), 60µJ (off) 입력 유형 Standard 게이트 차지 37nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C 11ns/100ns 테스트 조건 390V, 7A, 25Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr) - 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-220-3 공급자 장치 패키지 TO-220-3 |
