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IDH03G65C5XKSA2

IDH03G65C5XKSA2

참조 용

부품 번호 IDH03G65C5XKSA2
PNEDA 부품 번호 IDH03G65C5XKSA2
설명 DIODE SCHOTTKY 650V 3A TO220-2-1
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 11,388
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 30 - 7월 5 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IDH03G65C5XKSA2 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IDH03G65C5XKSA2
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글

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IDH03G65C5XKSA2 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈CoolSiC™+
다이오드 유형Silicon Carbide Schottky
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)650V
전류-평균 정류 (Io)3A (DC)
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.7V @ 3A
속도No Recovery Time > 500mA (Io)
역 복구 시간 (trr)0ns
전류-역방향 누설 @ Vr50µA @ 650V
커패시턴스 @ Vr, F100pF @ 1V, 1MHz
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-220-2
공급자 장치 패키지PG-TO220-2-1
작동 온도-접합-55°C ~ 175°C

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

100V

전류-평균 정류 (Io)

100A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.5V @ 100A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

24mA @ 100V

커패시턴스 @ Vr, F

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장착 유형

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다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1000V

전류-평균 정류 (Io)

8A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 8A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

50µA @ 1000V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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시리즈

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다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1200V

전류-평균 정류 (Io)

8A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

3.3V @ 8A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

95ns

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 1200V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-2

공급자 장치 패키지

TO-247AC Modified

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

S4PJ-M3/87A

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

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다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

4A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 4A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

2.5µs

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 600V

커패시턴스 @ Vr, F

30pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.15V @ 5A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

2.5µs

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 400V

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