HTNFET-D
참조 용
| 부품 번호 | HTNFET-D |
| PNEDA 부품 번호 | HTNFET-D |
| 설명 | MOSFET N-CH 55V 8-DIP |
| 제조업체 | Honeywell Aerospace |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 2,988 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 7월 12 - 7월 17 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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HTNFET-D 리소스
| 브랜드 | Honeywell Aerospace |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | HTNFET-D |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
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HTNFET-D 사양
| 제조업체 | Honeywell Aerospace |
| 시리즈 | HTMOS™ |
| FET 유형 | N-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 55V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | - |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 5V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 400mOhm @ 100mA, 5V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 2.4V @ 100µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 4.3nC @ 5V |
| Vgs (최대) | 10V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 290pF @ 28V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 50W (Tj) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 225°C (TJ) |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 공급자 장치 패키지 | 8-CDIP-EP |
| 패키지 / 케이스 | 8-CDIP Exposed Pad |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 POWER MOS 8™ FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 75A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 75mOhm @ 37A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 5V @ 2.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 290nC @ 10V Vgs (최대) ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 11600pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 1040W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 TO-264 [L] 패키지 / 케이스 TO-264-3, TO-264AA |
제조업체 Alpha & Omega Semiconductor Inc. 시리즈 - FET 유형 P-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 1.9A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs 80mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 11nC @ 4.5V Vgs (최대) ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 745pF @ 10V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 570mW (Ta) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 SC-70-6 패키지 / 케이스 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 15A (Ta), 75A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 7mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 39nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 2151pF @ 20V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 3.1W (Ta), 83W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 8-PDFN (5x6) 패키지 / 케이스 8-PowerTDFN |
제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 * FET 유형 - 기술 - 드레인-소스 전압 (Vdss) - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) - Rds On (최대) @ Id, Vgs - Vgs (th) (최대) @ Id - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - Vgs (최대) - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - FET 기능 - 전력 손실 (최대) - 작동 온도 - 장착 유형 - 공급자 장치 패키지 - 패키지 / 케이스 - |
