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HN1B01FU-Y(L,F,T)

HN1B01FU-Y(L,F,T)

참조 용

부품 번호 HN1B01FU-Y(L,F,T)
PNEDA 부품 번호 HN1B01FU-Y-L-F-T
설명 TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage
단가 견적 요청
재고 있음 4,266
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 7월 24 - 7월 29 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

HN1B01FU-Y(L 리소스

브랜드 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호HN1B01FU-Y(L,F,T)
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

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  • HN1B01FU-Y(L,F,T) Distributor

HN1B01FU-Y(L 사양

제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈-
트랜지스터 유형NPN, PNP
전류-수집기 (Ic) (최대)150mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic300mV @ 10mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대)100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce120 @ 2mA, 6V
전력-최대200mW
주파수-전환120MHz
작동 온도125°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지US6

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전류-수집기 (Ic) (최대)

30mA

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Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 100µA, 1mA

전류-수집기 차단 (최대)

10µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

300 @ 1mA, 5V

전력-최대

350mW

주파수-전환

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작동 온도

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트랜지스터 유형

NPN, PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 10mA, 100mA / 500mV @ 10mA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

100µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

210 @ 2mA, 10V

전력-최대

150mW

주파수-전환

150MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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트랜지스터 유형

2 PNP (Dual)

전류-수집기 (Ic) (최대)

3A

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12V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

270mV @ 30mA, 3A

전류-수집기 차단 (최대)

100nA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

300 @ 1A, 2V

전력-최대

1.04W

주파수-전환

85MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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트랜지스터 유형

2 PNP (Dual)

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

45V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

650mV @ 5mA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

15nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

220 @ 2mA, 5V

전력-최대

380mW

주파수-전환

100MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

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전류-수집기 (Ic) (최대)

150mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

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