HIP6603BECBZ
참조 용
| 부품 번호 | HIP6603BECBZ |
| PNEDA 부품 번호 | HIP6603BECBZ |
| 설명 | IC DRIVER MOSF SYNC BUCK 8EPSOIC |
| 제조업체 | Renesas Electronics America Inc. |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 7,776 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 7월 25 - 7월 30 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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HIP6603BECBZ 리소스
| 브랜드 | Renesas Electronics America Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | HIP6603BECBZ |
| 분류 | 반도체 › 전력 관리 IC › PMIC-게이트 드라이버 |
| 데이터 시트 |
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HIP6603BECBZ 사양
| 제조업체 | Renesas Electronics America Inc. |
| 시리즈 | - |
| 구동 구성 | Half-Bridge |
| 채널 유형 | Synchronous |
| 드라이버 수 | 2 |
| 게이트 유형 | N-Channel MOSFET |
| 전압-공급 | 10.8V ~ 13.2V |
| 논리 전압-VIL, VIH | - |
| 전류-피크 출력 (소스, 싱크) | - |
| 입력 유형 | Non-Inverting |
| 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩) | 15V |
| 상승 / 하강 시간 (일반) | 20ns, 20ns |
| 작동 온도 | 0°C ~ 125°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad |
| 공급자 장치 패키지 | 8-SOIC-EP |
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제조업체 Renesas Electronics America Inc. 시리즈 - 구동 구성 Half-Bridge 채널 유형 Independent 드라이버 수 2 게이트 유형 N-Channel MOSFET 전압-공급 9V ~ 15V 논리 전압-VIL, VIH 0.8V, 2.2V 전류-피크 출력 (소스, 싱크) 1.4A, 1.3A 입력 유형 Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩) 80V 상승 / 하강 시간 (일반) 5ns, 5ns 작동 온도 -40°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SOIC |
제조업체 Analog Devices Inc. 시리즈 - 구동 구성 Low-Side 채널 유형 Independent 드라이버 수 2 게이트 유형 N-Channel MOSFET 전압-공급 4.5V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH 0.8V, 2V 전류-피크 출력 (소스, 싱크) 4A, 4A 입력 유형 Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩) - 상승 / 하강 시간 (일반) 10ns, 10ns 작동 온도 -40°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Exposed Pad 공급자 장치 패키지 8-MiniSOIC-EP |
제조업체 Microchip Technology 시리즈 - 구동 구성 High-Side or Low-Side 채널 유형 Single 드라이버 수 1 게이트 유형 N-Channel MOSFET 전압-공급 2.75V ~ 30V 논리 전압-VIL, VIH 0.8V, 2V 전류-피크 출력 (소스, 싱크) - 입력 유형 Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩) - 상승 / 하강 시간 (일반) - 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SOIC |
제조업체 시리즈 - 구동 구성 Low-Side 채널 유형 Independent 드라이버 수 2 게이트 유형 N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급 4.5V ~ 15V 논리 전압-VIL, VIH 1V, 2V 전류-피크 출력 (소스, 싱크) 4A, 4A 입력 유형 Inverting, Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩) - 상승 / 하강 시간 (일반) 20ns, 15ns 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SOIC |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 - 구동 구성 Half-Bridge 채널 유형 3-Phase 드라이버 수 6 게이트 유형 IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH 0.8V, 2.2V 전류-피크 출력 (소스, 싱크) 250mA, 500mA 입력 유형 Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩) 600V 상승 / 하강 시간 (일반) 80ns, 35ns 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지 28-SOIC |
