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HIP4082IBZT

HIP4082IBZT

참조 용

부품 번호 HIP4082IBZT
PNEDA 부품 번호 HIP4082IBZT
설명 IC DRIVER FET H-BRDG 80V 16-SOIC
제조업체 Renesas Electronics America Inc.
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
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HIP4082IBZT 리소스

브랜드 Renesas Electronics America Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호HIP4082IBZT
분류반도체전력 관리 ICPMIC-게이트 드라이버
데이터 시트
HIP4082IBZT, HIP4082IBZT 데이터 시트 (총 페이지: 14, 크기: 687.33 KB)
PDFHIP4082IBZTR5676 데이터 시트 표지
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HIP4082IBZT 사양

제조업체Renesas Electronics America Inc.
시리즈-
구동 구성Half-Bridge
채널 유형Independent
드라이버 수4
게이트 유형N-Channel MOSFET
전압-공급8.5V ~ 15V
논리 전압-VIL, VIH1V, 2.5V
전류-피크 출력 (소스, 싱크)1.4A, 1.3A
입력 유형Non-Inverting
높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)95V
상승 / 하강 시간 (일반)9ns, 9ns
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지16-SOIC

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구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

IGBT

전압-공급

14.5V ~ 15.5V

논리 전압-VIL, VIH

-

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

8A, 15A

입력 유형

-

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

1200V

상승 / 하강 시간 (일반)

5ns, 10ns

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

ISL89162FBEBZ-T

Renesas Electronics America Inc.

제조업체

Renesas Electronics America Inc.

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 16V

논리 전압-VIL, VIH

1.85V, 3.15V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

6A, 6A

입력 유형

Inverting, Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

20ns, 20ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad

공급자 장치 패키지

8-SOIC-EP

MIC44F18YMME-TR

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Single

드라이버 수

1

게이트 유형

P-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 13.2V

논리 전압-VIL, VIH

1.607V, 1.615V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

6A, 6A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

10ns, 10ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Exposed Pad

공급자 장치 패키지

8-MSOP-EP

LTC3900HS8#PBF

Linear Technology/Analog Devices

제조업체

Linear Technology/Analog Devices

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Synchronous

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 11V

논리 전압-VIL, VIH

-

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

2A, 2A

입력 유형

Inverting, Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

15ns, 15ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

LM5101AMR/NOPB

Texas Instruments

제조업체

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

9V ~ 14V

논리 전압-VIL, VIH

2.3V, -

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

3A, 3A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

118V

상승 / 하강 시간 (일반)

430ns, 260ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerSOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO PowerPad

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