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HIP4081AIBT

HIP4081AIBT

참조 용

부품 번호 HIP4081AIBT
PNEDA 부품 번호 HIP4081AIBT
설명 IC DRIVER FULL BRIDGE FET 20SOIC
제조업체 Renesas Electronics America Inc.
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HIP4081AIBT 리소스

브랜드 Renesas Electronics America Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호HIP4081AIBT
분류반도체전력 관리 ICPMIC-게이트 드라이버
데이터 시트
HIP4081AIBT, HIP4081AIBT 데이터 시트 (총 페이지: 17, 크기: 922.48 KB)
PDFHIP4081AIBT 데이터 시트 표지
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  • HIP4081AIBT Distributor

HIP4081AIBT 사양

제조업체Renesas Electronics America Inc.
시리즈-
구동 구성Half-Bridge
채널 유형Independent
드라이버 수4
게이트 유형N-Channel MOSFET
전압-공급9.5V ~ 15V
논리 전압-VIL, VIH1V, 2.5V
전류-피크 출력 (소스, 싱크)2.6A, 2.4A
입력 유형Non-Inverting
높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)95V
상승 / 하강 시간 (일반)10ns, 10ns
작동 온도-40°C ~ 125°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
공급자 장치 패키지20-SOIC

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제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

구동 구성

High-Side or Low-Side

채널 유형

Single

드라이버 수

1

게이트 유형

N-Channel, P-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 30V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.4V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

1.5A, 1.5A

입력 유형

Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

25ns, 33ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

UCC21222QDQ1

Texas Instruments

제조업체

시리즈

Automotive, AEC-Q100

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

IGBT, N-Channel MOSFET

전압-공급

3V ~ 5.5V

논리 전압-VIL, VIH

1.25V, 1.6V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

4A, 6A

입력 유형

CMOS/TTL

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

5ns, 6ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

16-SOIC

UCD7138DRST

Texas Instruments

제조업체

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Single

드라이버 수

1

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 18V

논리 전압-VIL, VIH

1.08V, 1.93V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

4A, 6A

입력 유형

Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

4ns, 3.5ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-WDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

6-SON (3x3)

IRS24531DSPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

구동 구성

Full-Bridge

채널 유형

Synchronous

드라이버 수

1

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

10V ~ 15.6V

논리 전압-VIL, VIH

4.7V, 9.3V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

180mA, 260mA

입력 유형

RC Input Circuit

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

600V

상승 / 하강 시간 (일반)

120ns, 50ns

작동 온도

-25°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

14-SOIC

ISL89162FBEBZ

Renesas Electronics America Inc.

제조업체

Renesas Electronics America Inc.

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 16V

논리 전압-VIL, VIH

1.85V, 3.15V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

6A, 6A

입력 유형

Inverting, Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

20ns, 20ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad

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