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HGTD3N60C3S9A

HGTD3N60C3S9A

참조 용

부품 번호 HGTD3N60C3S9A
PNEDA 부품 번호 HGTD3N60C3S9A
설명 IGBT 600V 6A 33W TO252AA
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

HGTD3N60C3S9A 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호HGTD3N60C3S9A
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
HGTD3N60C3S9A, HGTD3N60C3S9A 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 263.04 KB)
PDFHGTD3N60C3S9A 데이터 시트 표지
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  • HGTD3N60C3S9A Distributor

HGTD3N60C3S9A 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
IGBT 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)6A
전류-수집기 펄스 (Icm)24A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2V @ 15V, 3A
전력-최대33W
에너지 전환85µJ (on), 245µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지10.8nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C-
테스트 조건480V, 3A, 82Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)-
작동 온도-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지TO-252AA

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

TrenchStop®

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

50A

전류-수집기 펄스 (Icm)

100A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 25A

전력-최대

326W

에너지 전환

2.65mJ

입력 유형

Standard

게이트 차지

115nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

27ns/277ns

테스트 조건

600V, 25A, 23Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

290ns

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

PG-TO247-3

IKD04N60RAATMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

TrenchStop™

IGBT 유형

Trench

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

8A

전류-수집기 펄스 (Icm)

12A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 4A

전력-최대

75W

에너지 전환

90µJ (on), 150µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

27nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

14ns/146ns

테스트 조건

400V, 4A, 43Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

43ns

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

공급자 장치 패키지

PG-TO252-3

APT30GN60BDQ2G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

63A

전류-수집기 펄스 (Icm)

90A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 30A

전력-최대

203W

에너지 전환

525µJ (on), 700µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

165nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

12ns/155ns

테스트 조건

400V, 30A, 4.3Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247 [B]

NGTB15N120IHWG

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

30A

전류-수집기 펄스 (Icm)

60A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.45V @ 15V, 15A

전력-최대

278W

에너지 전환

360µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

120nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-/130ns

테스트 조건

600V, 15A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247-3

제조업체

IXYS

시리즈

-

IGBT 유형

Trench

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

300V

전류-수집기 (Ic) (최대)

120A

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

-

전력-최대

-

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

-

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-3P-3, SC-65-3

공급자 장치 패키지

TO-3P

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