HGTD3N60C3S9A
참조 용
| 부품 번호 | HGTD3N60C3S9A |
| PNEDA 부품 번호 | HGTD3N60C3S9A |
| 설명 | IGBT 600V 6A 33W TO252AA |
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 5,292 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 6월 13 - 6월 18 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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HGTD3N60C3S9A 리소스
| 브랜드 | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | HGTD3N60C3S9A |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-IGBT-단일 |
| 데이터 시트 |
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HGTD3N60C3S9A 사양
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 시리즈 | - |
| IGBT 유형 | - |
| 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) | 600V |
| 전류-수집기 (Ic) (최대) | 6A |
| 전류-수집기 펄스 (Icm) | 24A |
| Vce (on) (최대) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 3A |
| 전력-최대 | 33W |
| 에너지 전환 | 85µJ (on), 245µJ (off) |
| 입력 유형 | Standard |
| 게이트 차지 | 10.8nC |
| Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C | - |
| 테스트 조건 | 480V, 3A, 82Ohm, 15V |
| 역 복구 시간 (trr) | - |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 공급자 장치 패키지 | TO-252AA |
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - IGBT 유형 Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대) 30A 전류-수집기 펄스 (Icm) 60A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic 2.45V @ 15V, 15A 전력-최대 278W 에너지 전환 360µJ (off) 입력 유형 Standard 게이트 차지 120nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C -/130ns 테스트 조건 600V, 15A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr) - 작동 온도 -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-247-3 공급자 장치 패키지 TO-247-3 |
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