Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
수백만 개의 전자 부품 재고 있음. 24 시간 이내에 가격 및 리드 타임 견적.

HAF1002-90STL-E

HAF1002-90STL-E

참조 용

부품 번호 HAF1002-90STL-E
PNEDA 부품 번호 HAF1002-90STL-E
설명 MOSFET P-CH 60V 15A 4LDPAK
제조업체 Renesas Electronics America
단가 견적 요청
재고 있음 4,194
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 5월 6 - 5월 11 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

HAF1002-90STL-E 리소스

브랜드 Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호HAF1002-90STL-E
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
HAF1002-90STL-E, HAF1002-90STL-E 데이터 시트 (총 페이지: 11, 크기: 202.14 KB)
PDFHAF1002-90STL-E 데이터 시트 표지
HAF1002-90STL-E 데이터 시트 페이지 2 HAF1002-90STL-E 데이터 시트 페이지 3 HAF1002-90STL-E 데이터 시트 페이지 4 HAF1002-90STL-E 데이터 시트 페이지 5 HAF1002-90STL-E 데이터 시트 페이지 6 HAF1002-90STL-E 데이터 시트 페이지 7 HAF1002-90STL-E 데이터 시트 페이지 8 HAF1002-90STL-E 데이터 시트 페이지 9 HAF1002-90STL-E 데이터 시트 페이지 10 HAF1002-90STL-E 데이터 시트 페이지 11

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

PNEDA는 고품질 전자 부품을 고객에게 빠르고 안정적으로 공급함으로써 업계 리더가되기 위해 노력하고 있습니다.

우리의 접근 방식은 고객에게 다음과 같은 세 가지 주요 이점을 입증하는 데 기반을두고 있습니다.

  • 신속한 대응

    저희 팀은 귀하의 요청에 신속하게 응답하고 귀하의 부품을 찾기 위해 즉시 작업을 시작합니다.

  • 보장 된 품질

    당사의 품질 관리 프로세스는 신뢰성과 성능을 보장하면서 위조품을 보호합니다.

  • 글로벌 액세스

    전 세계적으로 신뢰할 수있는 리소스 네트워크를 통해 필요한 특정 부품을 찾아 제공 할 수 있습니다.

Hot search vocabulary

  • HAF1002-90STL-E Datasheet
  • where to find HAF1002-90STL-E
  • Renesas Electronics America

  • Renesas Electronics America HAF1002-90STL-E
  • HAF1002-90STL-E PDF Datasheet
  • HAF1002-90STL-E Stock

  • HAF1002-90STL-E Pinout
  • Datasheet HAF1002-90STL-E
  • HAF1002-90STL-E Supplier

  • Renesas Electronics America Distributor
  • HAF1002-90STL-E Price
  • HAF1002-90STL-E Distributor

HAF1002-90STL-E 사양

제조업체Renesas Electronics America
시리즈-
FET 유형P-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)15A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs90mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id-
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs-
Vgs (최대)+3V, -16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds-
FET 기능-
전력 손실 (최대)50W (Tc)
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지4-LDPAK
패키지 / 케이스SC-83

관심을 가질만한 제품

PMPB11EN,115

Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

9A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

14.5mOhm @ 9A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

20.6nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

840pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.7W (Ta), 12.5W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

DFN2020MD-6

패키지 / 케이스

6-UDFN Exposed Pad

HUFA75433S3ST

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

UltraFET™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

64A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

16mOhm @ 64A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

117nC @ 20V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1550pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

150W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

D²PAK (TO-263AB)

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

NVBLS0D5N04M8TXG

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

Automotive, AEC-Q101

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

300A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

0.57mOhm @ 80A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

296nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

15900pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

429W (Tj)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

8-HPSOF

패키지 / 케이스

8-PowerSFN

RSQ015P10TR

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1.5A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

470mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

17nC @ 5V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

950pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

600mW (Ta)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

TSMT6 (SC-95)

패키지 / 케이스

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

JAN2N7225U

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

Military, MIL-PRF-19500/592

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

200V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

27.4A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

105mOhm @ 27.4A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

115nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

4W (Ta), 150W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

TO-267AB

패키지 / 케이스

TO-267AB

최근 판매

1N4001G

1N4001G

SMC Diode Solutions

DIODE GEN PURP 50V 1A DO41

MC34063ABD

MC34063ABD

STMicroelectronics

IC REG BUCK BST ADJ 1.5A 8SO

FT4232HL-REEL

FT4232HL-REEL

FTDI, Future Technology Devices International Ltd

IC USB HS QUAD UART/SYNC 64-LQFP

L6563H

L6563H

STMicroelectronics

IC PFC CTRLR TRANSITION 16SOIC

1PS76SB70,135

1PS76SB70,135

Nexperia

DIODE SCHOTTKY 70V 70MA SOD323

FQA140N10

FQA140N10

ON Semiconductor

MOSFET N-CH 100V 140A TO-3P

W25Q64JVSFIQ

W25Q64JVSFIQ

Winbond Electronics

IC FLASH 64M SPI 133MHZ 16SOIC

EDBA232B2PB-1D-F-D

EDBA232B2PB-1D-F-D

Micron Technology Inc.

IC DRAM 16G PARALLEL 533MHZ

ADM2483BRWZ

ADM2483BRWZ

Analog Devices

DGTL ISO RS422/RS485 16SOIC

UFT14020

UFT14020

GeneSiC Semiconductor

DIODE GEN PURP 200V 70A TO249AB

NDT3055L

NDT3055L

ON Semiconductor

MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223-4

MAX5056BASA+

MAX5056BASA+

Maxim Integrated

IC MOSFET DRVR DUAL 8-SOIC