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H11B2-X009T

H11B2-X009T

참조 용

부품 번호 H11B2-X009T
PNEDA 부품 번호 H11B2-X009T
설명 OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6SMD
제조업체 Vishay Semiconductor Opto Division
단가 견적 요청
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H11B2-X009T 리소스

브랜드 Vishay Semiconductor Opto Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호H11B2-X009T
분류반도체절연체광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력
데이터 시트
H11B2-X009T, H11B2-X009T 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 104.73 KB)
PDFH11B2-X009T 데이터 시트 표지
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H11B2-X009T 사양

제조업체Vishay Semiconductor Opto Division
시리즈-
채널 수1
전압-절연5300Vrms
전류 전송 비율 (최소)200% @ 1mA
전류 전송 비율 (최대)-
켜기 / 끄기 시간 (일반)5µs, 30µs
상승 / 하강 시간 (일반)-
입력 유형DC
출력 유형Darlington with Base
전압-출력 (최대)25V
전류-출력 / 채널100mA
전압-순방향 (Vf) (통상)1.1V
전류-DC 순방향 (If) (최대)60mA
Vce 포화 (최대)1V
작동 온도-55°C ~ 100°C
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스6-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지6-SMD

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3µs, 3µs

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입력 유형

DC

출력 유형

Transistor with Base

전압-출력 (최대)

80V

전류-출력 / 채널

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전압-순방향 (Vf) (통상)

1.2V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

60mA

Vce 포화 (최대)

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작동 온도

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전류 전송 비율 (최소)

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전류 전송 비율 (최대)

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-

입력 유형

DC

출력 유형

Darlington with Base

전압-출력 (최대)

7V

전류-출력 / 채널

60mA

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.45V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

20mA

Vce 포화 (최대)

-

작동 온도

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장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

8-DIP (0.400", 10.16mm)

공급자 장치 패키지

8-DIP

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Vishay Semiconductor Opto Division

제조업체

Vishay Semiconductor Opto Division

시리즈

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채널 수

1

전압-절연

13900VDC

전류 전송 비율 (최소)

100% @ 5mA

전류 전송 비율 (최대)

300% @ 5mA

켜기 / 끄기 시간 (일반)

5µs, 3µs

상승 / 하강 시간 (일반)

2.4µs, 2.7µs

입력 유형

DC

출력 유형

Transistor

전압-출력 (최대)

32V

전류-출력 / 채널

50mA

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.32V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

75mA

Vce 포화 (최대)

300mV

작동 온도

-55°C ~ 85°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

4-SMD, Gull Wing

공급자 장치 패키지

4-SMD

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Vishay Semiconductor Opto Division

제조업체

Vishay Semiconductor Opto Division

시리즈

-

채널 수

1

전압-절연

5300Vrms

전류 전송 비율 (최소)

50% @ 5mA

전류 전송 비율 (최대)

150% @ 5mA

켜기 / 끄기 시간 (일반)

2µs, 25µs

상승 / 하강 시간 (일반)

-

입력 유형

DC

출력 유형

Transistor

전압-출력 (최대)

70V

전류-출력 / 채널

50mA

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.25V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

60mA

Vce 포화 (최대)

400mV

작동 온도

-55°C ~ 100°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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