H11A817W
참조 용
| 부품 번호 | H11A817W |
| PNEDA 부품 번호 | H11A817W |
| 설명 | OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4DIP |
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 7,452 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 7월 20 - 7월 25 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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H11A817W 리소스
| 브랜드 | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | H11A817W |
| 분류 | 반도체 › 절연체 › 광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 |
| 데이터 시트 |
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H11A817W 사양
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 시리즈 | - |
| 채널 수 | 1 |
| 전압-절연 | 5300Vrms |
| 전류 전송 비율 (최소) | 50% @ 5mA |
| 전류 전송 비율 (최대) | 600% @ 5mA |
| 켜기 / 끄기 시간 (일반) | - |
| 상승 / 하강 시간 (일반) | 2.4µs, 2.4µs |
| 입력 유형 | DC |
| 출력 유형 | Transistor |
| 전압-출력 (최대) | 70V |
| 전류-출력 / 채널 | 50mA |
| 전압-순방향 (Vf) (통상) | 1.2V |
| 전류-DC 순방향 (If) (최대) | 50mA |
| Vce 포화 (최대) | 200mV |
| 작동 온도 | -55°C ~ 100°C |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 패키지 / 케이스 | 4-DIP (0.400", 10.16mm) |
| 공급자 장치 패키지 | 4-DIP |
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제조업체 Broadcom Limited 시리즈 - 채널 수 1 전압-절연 3750Vrms 전류 전송 비율 (최소) 21% @ 16mA 전류 전송 비율 (최대) - 켜기 / 끄기 시간 (일반) 200ns, 300ns 상승 / 하강 시간 (일반) - 입력 유형 DC 출력 유형 Transistor 전압-출력 (최대) 20V 전류-출력 / 채널 8mA 전압-순방향 (Vf) (통상) 1.5V 전류-DC 순방향 (If) (최대) 25mA Vce 포화 (최대) - 작동 온도 -55°C ~ 100°C 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SO |
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제조업체 Everlight Electronics Co Ltd 시리즈 - 채널 수 1 전압-절연 3750Vrms 전류 전송 비율 (최소) 160% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대) 320% @ 10mA 켜기 / 끄기 시간 (일반) - 상승 / 하강 시간 (일반) 5µs, 3µs 입력 유형 DC 출력 유형 Transistor 전압-출력 (최대) 80V 전류-출력 / 채널 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상) 1.2V 전류-DC 순방향 (If) (최대) 50mA Vce 포화 (최대) 200mV 작동 온도 -55°C ~ 110°C 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 4-SOIC (0.173", 4.40mm Width) 공급자 장치 패키지 4-SSOP |
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈 - 채널 수 1 전압-절연 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소) 50% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대) 600% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반) 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반) 2µs, 3µs 입력 유형 DC 출력 유형 Transistor 전압-출력 (최대) 55V 전류-출력 / 채널 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상) 1.15V 전류-DC 순방향 (If) (최대) 60mA Vce 포화 (최대) 400mV 작동 온도 -55°C ~ 100°C 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 6-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지 6-DIP |
