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GPA030A135MN-FDR

GPA030A135MN-FDR

참조 용

부품 번호 GPA030A135MN-FDR
PNEDA 부품 번호 GPA030A135MN-FDR
설명 IGBT 1350V 60A 329W TO3PN
제조업체 Global Power Technologies Group
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GPA030A135MN-FDR 리소스

브랜드 Global Power Technologies Group
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호GPA030A135MN-FDR
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
GPA030A135MN-FDR, GPA030A135MN-FDR 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 450.94 KB)
PDFGPA030A135MN-FDR 데이터 시트 표지
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GPA030A135MN-FDR 사양

제조업체Global Power Technologies Group
시리즈-
IGBT 유형Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1350V
전류-수집기 (Ic) (최대)60A
전류-수집기 펄스 (Icm)90A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.4V @ 15V, 30A
전력-최대329W
에너지 전환4.4mJ (on), 1.18mJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지300nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C30ns/145ns
테스트 조건600V, 30A, 5Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)450ns
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-3
공급자 장치 패키지TO-3PN

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

100A

전류-수집기 펄스 (Icm)

150A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 50A

전력-최대

268W

에너지 전환

1.35mJ (on), 309µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

72.2nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

20.8ns/62.4ns

테스트 조건

400V, 50A, 6Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

31.8ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-3P-3, SC-65-3

공급자 장치 패키지

TO-3PN

STGP30M65DF2

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

60A

전류-수집기 펄스 (Icm)

120A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 30A

전력-최대

258W

에너지 전환

300µJ (on), 960µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

80nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

31.6ns/115ns

테스트 조건

400V, 30A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

140ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220

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Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

88A

전류-수집기 펄스 (Icm)

160A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 40A

전력-최대

500W

에너지 전환

1.38mJ (on), 906µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

210nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

22ns/163ns

테스트 조건

600V, 40A, 4.3Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247-3

IRG4PC50WPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

55A

전류-수집기 펄스 (Icm)

220A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 27A

전력-최대

200W

에너지 전환

80µJ (on), 320µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

180nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

46ns/120ns

테스트 조건

480V, 27A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AC

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Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

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IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

135A

전류-수집기 펄스 (Icm)

380A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 95A

전력-최대

446W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

420nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

29ns/226ns

테스트 조건

433V, 95A, 4.3Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

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