GP10M-4007HE3/54
참조 용
| 부품 번호 | GP10M-4007HE3/54 |
| PNEDA 부품 번호 | GP10M-4007HE3-54 |
| 설명 | DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL |
| 제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 8,766 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 7월 23 - 7월 28 (신속 배송 선택) |
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GP10M-4007HE3/54 리소스
| 브랜드 | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | GP10M-4007HE3/54 |
| 분류 | 반도체 › 다이오드 및 정류기 › 정류기-싱글 |
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GP10M-4007HE3/54 사양
| 제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| 시리즈 | - |
| 다이오드 유형 | Standard |
| 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) | 1000V |
| 전류-평균 정류 (Io) | 1A |
| 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If | - |
| 속도 | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| 역 복구 시간 (trr) | - |
| 전류-역방향 누설 @ Vr | - |
| 커패시턴스 @ Vr, F | - |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 패키지 / 케이스 | DO-204AL, DO-41, Axial |
| 공급자 장치 패키지 | DO-204AL (DO-41) |
| 작동 온도-접합 | - |
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 Automotive, AEC-Q101 다이오드 유형 Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 200V 전류-평균 정류 (Io) 3A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 840mV @ 3A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 1mA @ 200V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 DO-214AA, SMB 공급자 장치 패키지 SMB 작동 온도-접합 -65°C ~ 175°C |
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제조업체 Comchip Technology 시리즈 - 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 200V 전류-평균 정류 (Io) 3A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1V @ 3A 속도 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 5µA @ 200V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 DO-201AD, Axial 공급자 장치 패키지 DO-27 (DO-201AD) 작동 온도-접합 -65°C ~ 125°C |
