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GMM3X180-004X2-SMD

GMM3X180-004X2-SMD

참조 용

부품 번호 GMM3X180-004X2-SMD
PNEDA 부품 번호 GMM3X180-004X2-SMD
설명 MOSFET 6N-CH 40V 180A 24-SMD
제조업체 IXYS
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GMM3X180-004X2-SMD 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호GMM3X180-004X2-SMD
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
GMM3X180-004X2-SMD, GMM3X180-004X2-SMD 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 471.49 KB)
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GMM3X180-004X2-SMD 사양

제조업체IXYS
시리즈-
FET 유형6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)180A
Rds On (최대) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (최대) @ Id4.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs110nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds-
전력-최대-
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스24-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지24-SMD

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

300mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

15nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

250pF @ 25V

전력-최대

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드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.6A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

63mOhm @ 3.4A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.1V @ 10µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

2.8nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

270pF @ 25V

전력-최대

1.5W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-VDFN Exposed Pad

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Rohm Semiconductor

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드레인-소스 전압 (Vdss)

250V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3A, 2.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.63Ohm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

5.2nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

180pF @ 25V

전력-최대

2W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOP

UT6J3TCR

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

85mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

8.5nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2000pF @ 10V

전력-최대

2W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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시리즈

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드레인-소스 전압 (Vdss)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

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게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

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입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

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