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FZT655TA

FZT655TA

참조 용

부품 번호 FZT655TA
PNEDA 부품 번호 FZT655TA
설명 TRANS NPN 150V 1A SOT-223
제조업체 Diodes Incorporated
단가 견적 요청
재고 있음 138,648
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 7월 23 - 7월 28 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FZT655TA 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FZT655TA
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
FZT655TA, FZT655TA 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 268.6 KB)
PDFFZT655TC 데이터 시트 표지
FZT655TC 데이터 시트 페이지 2 FZT655TC 데이터 시트 페이지 3 FZT655TC 데이터 시트 페이지 4 FZT655TC 데이터 시트 페이지 5 FZT655TC 데이터 시트 페이지 6 FZT655TC 데이터 시트 페이지 7

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FZT655TA 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈-
트랜지스터 유형NPN
전류-수집기 (Ic) (최대)1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)150V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic500mV @ 200mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대)100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce50 @ 500mA, 5V
전력-최대2W
주파수-전환30MHz
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-261-4, TO-261AA
공급자 장치 패키지SOT-223

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NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

25V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 5mA, 50mA

전류-수집기 차단 (최대)

50nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

250 @ 2mA, 10V

전력-최대

625mW

주파수-전환

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

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제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

*

트랜지스터 유형

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

-

전류-수집기 차단 (최대)

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

-

전력-최대

-

주파수-전환

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

ZXTN25100DGTA

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

3A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

100V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 600mA, 3A

전류-수집기 차단 (최대)

50nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

300 @ 10mA, 2V

전력-최대

3W

주파수-전환

175MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-261-4, TO-261AA

공급자 장치 패키지

SOT-223

CP647-PMD19K100-WN

Central Semiconductor Corp

제조업체

Central Semiconductor Corp

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP - Darlington

전류-수집기 (Ic) (최대)

30A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

100V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

2.8V @ 60mA, 15A

전류-수집기 차단 (최대)

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

800 @ 15A, 3V

전력-최대

-

주파수-전환

4MHz

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

Die

공급자 장치 패키지

Die

BC635ZL1G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

1A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

45V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 50mA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

40 @ 150mA, 2V

전력-최대

625mW

주파수-전환

200MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

공급자 장치 패키지

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