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FZT653TA

FZT653TA

참조 용

부품 번호 FZT653TA
PNEDA 부품 번호 FZT653TA
설명 TRANS NPN 100V 2A SOT-223
제조업체 Diodes Incorporated
단가 견적 요청
재고 있음 861,288
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 7월 11 - 7월 16 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FZT653TA 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FZT653TA
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
FZT653TA, FZT653TA 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 635.73 KB)
PDFFZT653TC 데이터 시트 표지
FZT653TC 데이터 시트 페이지 2 FZT653TC 데이터 시트 페이지 3 FZT653TC 데이터 시트 페이지 4 FZT653TC 데이터 시트 페이지 5 FZT653TC 데이터 시트 페이지 6 FZT653TC 데이터 시트 페이지 7

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FZT653TA 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈-
트랜지스터 유형NPN
전류-수집기 (Ic) (최대)2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic500mV @ 200mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대)100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce100 @ 500mA, 2V
전력-최대2W
주파수-전환175MHz
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-261-4, TO-261AA
공급자 장치 패키지SOT-223

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제조업체

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시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

15A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

230V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 500mA, 5A

전류-수집기 차단 (최대)

10µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

40 @ 5A, 4V

전력-최대

160W

주파수-전환

35MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-3P-3, SC-65-3

공급자 장치 패키지

TO-3P

TIP142TU

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN - Darlington

전류-수집기 (Ic) (최대)

10A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

100V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

3V @ 40mA, 10A

전류-수집기 차단 (최대)

2mA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

1000 @ 5A, 4V

전력-최대

80W

주파수-전환

-

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220-3

2SD1938FSL

Panasonic Electronic Components

제조업체

Panasonic Electronic Components

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

300mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

20V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

100mV @ 3mA, 30mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

500 @ 4mA, 2V

전력-최대

200mW

주파수-전환

80MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

Mini3-G1

BCW61CMTF

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

32V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

550mV @ 1.25mA, 50mA

전류-수집기 차단 (최대)

20nA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

250 @ 2mA, 5V

전력-최대

350mW

주파수-전환

-

작동 온도

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23-3

BD242BG

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

3A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

80V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1.2V @ 600mA, 3A

전류-수집기 차단 (최대)

300µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

25 @ 1A, 4V

전력-최대

40W

주파수-전환

3MHz

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

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