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FT24C32A-USR-B

FT24C32A-USR-B

참조 용

부품 번호 FT24C32A-USR-B
PNEDA 부품 번호 FT24C32A-USR-B
설명 IC EEPROM 32K I2C 800KHZ 8SOP
제조업체 Fremont Micro Devices Ltd
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FT24C32A-USR-B 리소스

브랜드 Fremont Micro Devices Ltd
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FT24C32A-USR-B
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
FT24C32A-USR-B, FT24C32A-USR-B 데이터 시트 (총 페이지: 17, 크기: 316.02 KB)
PDFFT24C64A-UTG-T 데이터 시트 표지
FT24C64A-UTG-T 데이터 시트 페이지 2 FT24C64A-UTG-T 데이터 시트 페이지 3 FT24C64A-UTG-T 데이터 시트 페이지 4 FT24C64A-UTG-T 데이터 시트 페이지 5 FT24C64A-UTG-T 데이터 시트 페이지 6 FT24C64A-UTG-T 데이터 시트 페이지 7 FT24C64A-UTG-T 데이터 시트 페이지 8 FT24C64A-UTG-T 데이터 시트 페이지 9 FT24C64A-UTG-T 데이터 시트 페이지 10 FT24C64A-UTG-T 데이터 시트 페이지 11

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FT24C32A-USR-B 사양

제조업체Fremont Micro Devices Ltd
시리즈-
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷EEPROM
기술EEPROM
메모리 크기32Kb (4K x 8)
메모리 인터페이스I²C
시계 주파수800kHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지5ms
접근 시간700ns
전압-공급1.8V ~ 5.5V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SOP

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

2Kb (256 x 8)

메모리 인터페이스

I²C

시계 주파수

400kHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

900ns

전압-공급

1.7V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5

공급자 장치 패키지

TSOT-23-5

S25FL208K0RMFI041

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제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

FL2-K

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

8Mb (1M x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

76MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

IS65WV12816BLL-55TA3-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Asynchronous

메모리 크기

2Mb (128K x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

55ns

접근 시간

55ns

전압-공급

2.5V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

공급자 장치 패키지

44-TSOP II

M24C02-DRDW8TP/K

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

Automotive, AEC-Q100

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

2Kb (256 x 8)

메모리 인터페이스

I²C

시계 주파수

1MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

4ms

접근 시간

450ns

전압-공급

1.8V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 105°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

8-TSSOP

AS4C512M8D3LA-12BIN

Alliance Memory, Inc.

제조업체

Alliance Memory, Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - DDR3L

메모리 크기

4Gb (512M x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

800MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

20ns

전압-공급

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