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FSB749

FSB749

참조 용

부품 번호 FSB749
PNEDA 부품 번호 FSB749
설명 TRANS PNP 25V 3A SSOT3
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 8,604
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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FSB749 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FSB749
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
FSB749, FSB749 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 291.59 KB)
PDFFSB749 데이터 시트 표지
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FSB749 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
트랜지스터 유형PNP
전류-수집기 (Ic) (최대)3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)25V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic600mV @ 300mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대)100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce100 @ 1A, 2V
전력-최대500mW
주파수-전환100MHz
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지SuperSOT-3

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전류-수집기 (Ic) (최대)

800mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

120V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1V @ 50mA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

80 @ 100mA, 5V

전력-최대

900mW

주파수-전환

120MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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ON Semiconductor

제조업체

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시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

200mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

40V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 5mA, 50mA

전류-수집기 차단 (최대)

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 10mA, 1V

전력-최대

625mW

주파수-전환

300MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

2A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

100V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

600mV @ 100mA, 1A

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

200 @ 100mA, 10V

전력-최대

1W

주파수-전환

120MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

SC-71

공급자 장치 패키지

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S9018-G-AP

Micro Commercial Co

제조업체

Micro Commercial Co

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

50mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

18V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 1mA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

70 @ 1mA, 5V

전력-최대

310mW

주파수-전환

600MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

공급자 장치 패키지

TO-92

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

200mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

15V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

600mV @ 5mA, 50mA

전류-수집기 차단 (최대)

10nA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

50 @ 10mA, 300mV

전력-최대

350mW

주파수-전환

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

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