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FS6R06VE3B2BOMA1

FS6R06VE3B2BOMA1

참조 용

부품 번호 FS6R06VE3B2BOMA1
PNEDA 부품 번호 FS6R06VE3B2BOMA1
설명 MOD IGBT LOW PWR EASY750-1
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 5,310
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 5월 6 - 5월 11 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FS6R06VE3B2BOMA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FS6R06VE3B2BOMA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-모듈

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  • FS6R06VE3B2BOMA1 Distributor

FS6R06VE3B2BOMA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
IGBT 유형-
구성Full Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)11A
전력-최대40.5W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2V @ 15V, 6A
전류-수집기 차단 (최대)1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce330pF @ 25V
입력Standard
NTC 서미스터Yes
작동 온도-40°C ~ 150°C
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스Module
공급자 장치 패키지Module

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시리즈

-

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

750A

전력-최대

2500W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 600A

전류-수집기 차단 (최대)

100µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

60.5nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 150°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

WB

APTGLQ300A120G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

500A

전력-최대

1500W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.42V @ 15V, 300A

전류-수집기 차단 (최대)

200µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

17.6nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

SP6

IFT150B12N3E4BOSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

*

IGBT 유형

-

구성

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전력-최대

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

-

전류-수집기 차단 (최대)

-

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

-

입력

-

NTC 서미스터

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

FP35R12W2T4B11BOMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Three Phase Inverter

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

54A

전력-최대

215W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.25V @ 15V, 35A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

2nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

VS-GB50LP120N

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

Single

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

100A

전력-최대

446W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.7V @ 15V, 50A (Typ)

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

4.29nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

INT-A-PAK (3 + 4)

공급자 장치 패키지

INT-A-PAK

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