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FQP3N40

FQP3N40

참조 용

부품 번호 FQP3N40
PNEDA 부품 번호 FQP3N40
설명 MOSFET N-CH 400V 2.5A TO-220
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 3,186
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 17 - 6월 22 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FQP3N40 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FQP3N40
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
FQP3N40, FQP3N40 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 707.53 KB)
PDFFQP3N40 데이터 시트 표지
FQP3N40 데이터 시트 페이지 2 FQP3N40 데이터 시트 페이지 3 FQP3N40 데이터 시트 페이지 4 FQP3N40 데이터 시트 페이지 5 FQP3N40 데이터 시트 페이지 6 FQP3N40 데이터 시트 페이지 7 FQP3N40 데이터 시트 페이지 8

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  • FQP3N40 Distributor

FQP3N40 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈QFET®
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)400V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)2.5A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs3.4Ohm @ 1.25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs7.5nC @ 10V
Vgs (최대)±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds230pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)55W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
공급자 장치 패키지TO-220-3
패키지 / 케이스TO-220-3

관심을 가질만한 제품

TP0620N3-G

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

200V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

175mA (Tj)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

12Ohm @ 200mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.4V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

150pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-92-3

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

IRFPE40

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

800V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5.4A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2Ohm @ 3.2A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

130nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1900pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

150W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-247-3

패키지 / 케이스

TO-247-3

SI6433BDQ-T1-E3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

-

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

12V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

40mOhm @ 4.8A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

15nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.05W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

8-TSSOP

패키지 / 케이스

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

제조업체

IXYS

시리즈

TrenchMV™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

80A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

14mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 100µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

60nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3040pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

230W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

TO-263-7 (IXTA..7)

패키지 / 케이스

TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB

DMP510DL-13

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

50V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

180mA (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

10Ohm @ 100mA, 5V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

24.6pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

310mW (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

SOT-23-3

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

최근 판매

S2G-13-F

S2G-13-F

Diodes Incorporated

DIODE GEN PURP 400V 1.5A SMB

SI2301CDS-T1-GE3

SI2301CDS-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3

IRF630NPBF

IRF630NPBF

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 200V 9.3A TO-220AB

WSL2010R0100FEA18

WSL2010R0100FEA18

Vishay Dale

RES 0.01 OHM 1% 1W 2010

MC33072DR2G

MC33072DR2G

ON Semiconductor

IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SOIC

MMBT2369LT1G

MMBT2369LT1G

ON Semiconductor

TRANS NPN 15V 0.2A SOT23

M25PX16-VMW6TG TR

M25PX16-VMW6TG TR

Micron Technology Inc.

IC FLASH 16M SPI 75MHZ 8SO

93AA66B-I/SN

93AA66B-I/SN

Microchip Technology

IC EEPROM 4K SPI 2MHZ 8SOIC

1-1825027-7

1-1825027-7

TE Connectivity ALCOSWITCH Switches

SWITCH TACTILE SPST-NO 0.05A 24V

MAX15301AA02+CJK

MAX15301AA02+CJK

Maxim Integrated

IC REG CTRLR BUCK PMBUS 32TQFN

WSL12062L000FEA

WSL12062L000FEA

Vishay Dale

RES 0.002 OHM 1% 1/4W 1206

ADG1433YRUZ

ADG1433YRUZ

Analog Devices

IC SWITCH TRIPLE SPDT 16TSSOP