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FQI7N80TU

FQI7N80TU

참조 용

부품 번호 FQI7N80TU
PNEDA 부품 번호 FQI7N80TU
설명 MOSFET N-CH 800V 6.6A I2PAK
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
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예상 배송 6월 15 - 6월 20 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FQI7N80TU 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FQI7N80TU
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
FQI7N80TU, FQI7N80TU 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 1,100.13 KB)
PDFFQI7N80TU 데이터 시트 표지
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FQI7N80TU 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈QFET®
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)800V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)6.6A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs1.5Ohm @ 3.3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs52nC @ 10V
Vgs (최대)±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds1850pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)3.13W (Ta), 167W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
공급자 장치 패키지I2PAK (TO-262)
패키지 / 케이스TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

30A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

125mOhm @ 11.6A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 960µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

56nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2660pF @ 100V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

34W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

PG-TO220-FP

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack

DMN10H170SFGQ-7

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

*

FET 유형

-

기술

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

-

장착 유형

-

공급자 장치 패키지

-

패키지 / 케이스

-

AO3416L_103

Alpha & Omega Semiconductor

제조업체

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6.5A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

22mOhm @ 6.5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

16nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1160pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.4W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

SOT-23-3

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

VS-FA40SA50LC

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

500V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

40A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

130mOhm @ 23A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

420nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

6900pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

543W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

공급자 장치 패키지

SOT-227

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SOT-227-4, miniBLOC

CSD17553Q5A

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MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

23.5A (Ta), 100A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3.1mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.9V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

21.5nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3252pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3.1W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

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OPTOISO 2.5KV 4CH TRANS 16SSOP

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74438356150

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BSS138

BSS138

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2N7002-7-F

2N7002-7-F

Diodes Incorporated

MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3