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FQI3P20TU

FQI3P20TU

참조 용

부품 번호 FQI3P20TU
PNEDA 부품 번호 FQI3P20TU
설명 MOSFET P-CH 200V 2.8A I2PAK
제조업체 ON Semiconductor
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FQI3P20TU 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FQI3P20TU
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
FQI3P20TU, FQI3P20TU 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 560.92 KB)
PDFFQB3P20TM 데이터 시트 표지
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FQI3P20TU 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈QFET®
FET 유형P-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)2.8A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs2.7Ohm @ 1.4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs8nC @ 10V
Vgs (최대)±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds250pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)3.13W (Ta), 52W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
공급자 장치 패키지I2PAK (TO-262)
패키지 / 케이스TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

19A (Ta), 106A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

5mOhm @ 19A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.25V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

44nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3765pF @ 20V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.8W (Ta), 89W (Tc)

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

DIRECTFET™ MX

패키지 / 케이스

DirectFET™ Isometric MX

STFI7N80K5

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

SuperMESH5™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

800V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.2Ohm @ 3A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 100µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

13.4nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

360pF @ 100V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

25W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

I2PAKFP (TO-281)

패키지 / 케이스

TO-262-3 Full Pack, I²Pak

BSP295E6327T

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

SIPMOS®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1.8A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

300mOhm @ 1.8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.8V @ 400µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

17nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

368pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.8W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

PG-SOT223-4

패키지 / 케이스

TO-261-4, TO-261AA

BSS139L6327HTSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

SIPMOS®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

250V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

100mA (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

0V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

14Ohm @ 0.1mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 56µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

3.5nC @ 5V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

76pF @ 25V

FET 기능

Depletion Mode

전력 손실 (최대)

360mW (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

SOT-23-3

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

IPD65R650CEAUMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

CoolMOS™ CE

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

650V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

650mOhm @ 2.1A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.5V @ 210µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

23nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

440pF @ 100V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

86W (Tc)

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

PG-TO252-3

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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LTV-817S-TA1-D

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ADR421ARMZ-REEL7

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USB2642-I/ML

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ADM2587EBRWZ-REEL7

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AT45DB321D-SU

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SMLP34RGB2W3

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