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FP50R12KT3BOSA1

FP50R12KT3BOSA1

참조 용

부품 번호 FP50R12KT3BOSA1
PNEDA 부품 번호 FP50R12KT3BOSA1
설명 IGBT MODULE VCES 600V 50A
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 2,052
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 14 - 6월 19 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FP50R12KT3BOSA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FP50R12KT3BOSA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-모듈
데이터 시트
FP50R12KT3BOSA1, FP50R12KT3BOSA1 데이터 시트 (총 페이지: 11, 크기: 564.61 KB)
PDFFP50R12KT3BOSA1 데이터 시트 표지
FP50R12KT3BOSA1 데이터 시트 페이지 2 FP50R12KT3BOSA1 데이터 시트 페이지 3 FP50R12KT3BOSA1 데이터 시트 페이지 4 FP50R12KT3BOSA1 데이터 시트 페이지 5 FP50R12KT3BOSA1 데이터 시트 페이지 6 FP50R12KT3BOSA1 데이터 시트 페이지 7 FP50R12KT3BOSA1 데이터 시트 페이지 8 FP50R12KT3BOSA1 데이터 시트 페이지 9 FP50R12KT3BOSA1 데이터 시트 페이지 10 FP50R12KT3BOSA1 데이터 시트 페이지 11

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  • FP50R12KT3BOSA1 Distributor

FP50R12KT3BOSA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
IGBT 유형-
구성Three Phase Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1200V
전류-수집기 (Ic) (최대)75A
전력-최대280W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.15V @ 15V, 50A
전류-수집기 차단 (최대)5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce3.5nF @ 25V
입력Standard
NTC 서미스터Yes
작동 온도-40°C ~ 125°C
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스Module
공급자 장치 패키지Module

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Three Phase Inverter

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전력-최대

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

-

전류-수집기 차단 (최대)

-

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

-

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-25°C ~ 55°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

IRG5K75HF12A

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

150A

전력-최대

540W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 75A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

9.5nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

POWIR® 34 Module

공급자 장치 패키지

POWIR® 34

FB10R06KL4BOMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

*

IGBT 유형

-

구성

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전력-최대

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

-

전류-수집기 차단 (최대)

-

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

-

입력

-

NTC 서미스터

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

FF150R12MS4GBOSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

2 Independent

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

225A

전력-최대

1250W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.7V @ 15V, 150A

전류-수집기 차단 (최대)

5mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

11nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 125°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

F3L300R12ME4B23BOSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

2 Independent

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

450A

전력-최대

1550W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 300A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

19nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 150°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

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