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FP10R12W1T4PB11BPSA1

FP10R12W1T4PB11BPSA1

참조 용

부품 번호 FP10R12W1T4PB11BPSA1
PNEDA 부품 번호 FP10R12W1T4PB11BPSA1
설명 MOD IGBT LOW PWR EASY1B-2
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 6,012
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FP10R12W1T4PB11BPSA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FP10R12W1T4PB11BPSA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-모듈

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FP10R12W1T4PB11BPSA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈EasyPIM™ 1B
IGBT 유형Trench Field Stop
구성Three Phase Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1200V
전류-수집기 (Ic) (최대)20A
전력-최대20mW
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.25V @ 15V, 10A
전류-수집기 차단 (최대)1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce600pF @ 25V
입력Three Phase Bridge Rectifier
NTC 서미스터Yes
작동 온도-40°C ~ 150°C
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스Module
공급자 장치 패키지Module

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제조업체

IXYS

시리즈

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IGBT 유형

NPT

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Three Phase Inverter with Brake

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

19A

전력-최대

90W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.4V @ 15V, 15A

전류-수집기 차단 (최대)

600µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

0.6nF @ 25V

입력

Three Phase Bridge Rectifier

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

E1

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IXYS

제조업체

IXYS

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

구성

Single

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

30A

전력-최대

130W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.3V @ 15V, 25A

전류-수집기 차단 (최대)

900µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

1nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

ECO-PAC2

공급자 장치 패키지

ECO-PAC2

제조업체

IXYS

시리즈

GenX3™

IGBT 유형

PT

구성

Single

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

200A

전력-최대

595W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.35V @ 15V, 100A

전류-수집기 차단 (최대)

50µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

14.8nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SOT-227-4, miniBLOC

공급자 장치 패키지

SOT-227B

FF75R12RT4HOSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

2 Independent

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

75A

전력-최대

395W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 75A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

4.3nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

VS-GB75TP120N

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

150A

전력-최대

543W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.35V @ 15V, 75A

전류-수집기 차단 (최대)

5mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

5.52nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

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