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FMM150-0075X2F

FMM150-0075X2F

참조 용

부품 번호 FMM150-0075X2F
PNEDA 부품 번호 FMM150-0075X2F
설명 MOSFET 2N-CH 75V 120A I4-PAC-5
제조업체 IXYS
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FMM150-0075X2F 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FMM150-0075X2F
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
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FMM150-0075X2F 사양

제조업체IXYS
시리즈HiPerFET™, TrenchT2™
FET 유형2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)75V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)120A
Rds On (최대) @ Id, Vgs5.8mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs178nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds10500pF @ 25V
전력-최대170W
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스ISOPLUSi5-Pak™
공급자 장치 패키지ISOPLUS i4-PAC™

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Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

80V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.6A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

73mOhm @ 2.2A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

23nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

660pF @ 25V

전력-최대

2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

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ON Semiconductor

시리즈

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FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.8A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

70mOhm @ 3.8A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

30nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1120pF @ 10V

전력-최대

900mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

AON7826

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시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

9A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

23mOhm @ 9A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

15nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

630pF @ 10V

전력-최대

3.1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerSMD, Flat Leads

공급자 장치 패키지

8-DFN-EP (3x3)

FDS3601

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

PowerTrench®

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1.3A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

480mOhm @ 1.3A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

5nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

153pF @ 50V

전력-최대

900mW

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

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Monolithic Power Systems Inc.

제조업체

Monolithic Power Systems Inc.

시리즈

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FET 유형

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FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

80mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

190Ohm @ 10mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

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전력-최대

1.3W

작동 온도

-20°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

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패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

8-SOIC

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