FMM110-015X2F
참조 용
| 부품 번호 | FMM110-015X2F |
| PNEDA 부품 번호 | FMM110-015X2F |
| 설명 | MOSFET 2N-CH 150V 53A I4-PAC |
| 제조업체 | IXYS |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 4,428 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 6월 30 - 7월 5 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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FMM110-015X2F 리소스
| 브랜드 | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | FMM110-015X2F |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
| 데이터 시트 |
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FMM110-015X2F 사양
| 제조업체 | IXYS |
| 시리즈 | GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™ |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Dual) |
| FET 기능 | Standard |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 150V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 53A |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 55A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 4.5V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 150nC @ 10V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 8600pF @ 25V |
| 전력-최대 | 180W |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 패키지 / 케이스 | i4-Pac™-5 |
| 공급자 장치 패키지 | ISOPLUS i4-PAC™ |
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제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Half Bridge) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 90A Rds On (최대) @ Id, Vgs 45mOhm @ 45A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 5V @ 5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 246nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 11200pF @ 25V 전력-최대 694W 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Chassis Mount 패키지 / 케이스 SP4 공급자 장치 패키지 SP4 |
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제조업체 Infineon Technologies 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 16A Rds On (최대) @ Id, Vgs 4.2mOhm @ 16A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.1V @ 35µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 13nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1350pF @ 13V 전력-최대 1.7W 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 DirectFET™ Isometric SA 공급자 장치 패키지 DIRECTFET™ SA |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 99A Rds On (최대) @ Id, Vgs 39mOhm @ 49.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 5V @ 5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 280nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 14000pF @ 25V 전력-최대 781W 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Chassis Mount 패키지 / 케이스 SP6 공급자 장치 패키지 SP6 |
