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FJP2145TU

FJP2145TU

참조 용

부품 번호 FJP2145TU
PNEDA 부품 번호 FJP2145TU
설명 TRANS NPN 800V 5A TO-220AB
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 7,968
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 7월 7 - 7월 12 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FJP2145TU 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FJP2145TU
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
FJP2145TU, FJP2145TU 데이터 시트 (총 페이지: 15, 크기: 929.99 KB)
PDFFJP2145TU 데이터 시트 표지
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FJP2145TU 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈ESBC™
트랜지스터 유형NPN
전류-수집기 (Ic) (최대)5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)800V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic2V @ 300mA, 1.5A
전류-수집기 차단 (최대)10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce20 @ 200mA, 5V
전력-최대120W
주파수-전환15MHz
작동 온도-55°C ~ 125°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-220-3
공급자 장치 패키지TO-220-3

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Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 200mA, 2A

전류-수집기 차단 (최대)

100µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

40 @ 10mA, 5V

전력-최대

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주파수-전환

3MHz

작동 온도

150°C (TJ)

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Through Hole

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120V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1V @ 50mA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

80 @ 100mA, 5V

전력-최대

900mW

주파수-전환

120MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 Long Body

공급자 장치 패키지

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M/A-Com Technology Solutions

시리즈

*

트랜지스터 유형

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

-

전류-수집기 차단 (최대)

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

-

전력-최대

-

주파수-전환

-

작동 온도

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-205AA, TO-5-3 Metal Can

공급자 장치 패키지

TO-5

MMBT2222AHLT1H

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

-

전류-수집기 차단 (최대)

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

-

전력-최대

-

주파수-전환

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

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제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

50A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

125V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

900mV @ 10A, 100A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

-

전력-최대

300W

주파수-전환

-

작동 온도

200°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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