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FJB102TM

FJB102TM

참조 용

부품 번호 FJB102TM
PNEDA 부품 번호 FJB102TM
설명 TRANS NPN DARL 100V 8A D2PAK
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 35,586
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 28 - 7월 3 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FJB102TM 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FJB102TM
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
FJB102TM, FJB102TM 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 348.2 KB)
PDFFJB102TM 데이터 시트 표지
FJB102TM 데이터 시트 페이지 2 FJB102TM 데이터 시트 페이지 3 FJB102TM 데이터 시트 페이지 4 FJB102TM 데이터 시트 페이지 5 FJB102TM 데이터 시트 페이지 6 FJB102TM 데이터 시트 페이지 7

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FJB102TM 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
트랜지스터 유형NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대)8A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic2.5V @ 80mA, 8A
전류-수집기 차단 (최대)50µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce1000 @ 3A, 4V
전력-최대80W
주파수-전환-
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급자 장치 패키지TO-263 (D2Pak)

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제조업체

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시리즈

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트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

800mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1V @ 50mA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

10nA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

40 @ 150mA, 10V

전력-최대

800mW

주파수-전환

-

작동 온도

-55°C ~ 200°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

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Nexperia

제조업체

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시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

1A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

45V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 50mA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

63 @ 150mA, 2V

전력-최대

960mW

주파수-전환

180MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-261-4, TO-261AA

공급자 장치 패키지

SC-73

BCX6910E6327HTSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

1A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

20V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 100mA, 1A

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

85 @ 500mA, 1V

전력-최대

3W

주파수-전환

100MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-243AA

공급자 장치 패키지

PG-SOT89

2SA1980-O-AP

Micro Commercial Co

제조업체

Micro Commercial Co

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

150mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 10mA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

70 @ 2A, 6V

전력-최대

625mW

주파수-전환

80MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

공급자 장치 패키지

TO-92

2N5088_D11Z

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

30V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 1mA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

50nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

300 @ 100µA, 5V

전력-최대

625mW

주파수-전환

50MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

공급자 장치 패키지

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