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FGH50T65UPD

FGH50T65UPD

참조 용

부품 번호 FGH50T65UPD
PNEDA 부품 번호 FGH50T65UPD
설명 IGBT 650V 100A 340W TO-247AB
제조업체 ON Semiconductor
단가
1 ---------- $41.4751
100 ---------- $39.5309
250 ---------- $37.5868
500 ---------- $35.6426
750 ---------- $34.0225
1,000 ---------- $32.4024
재고 있음 4,081
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FGH50T65UPD 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FGH50T65UPD
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
FGH50T65UPD, FGH50T65UPD 데이터 시트 (총 페이지: 11, 크기: 960.57 KB)
PDFFGH50T65UPD 데이터 시트 표지
FGH50T65UPD 데이터 시트 페이지 2 FGH50T65UPD 데이터 시트 페이지 3 FGH50T65UPD 데이터 시트 페이지 4 FGH50T65UPD 데이터 시트 페이지 5 FGH50T65UPD 데이터 시트 페이지 6 FGH50T65UPD 데이터 시트 페이지 7 FGH50T65UPD 데이터 시트 페이지 8 FGH50T65UPD 데이터 시트 페이지 9 FGH50T65UPD 데이터 시트 페이지 10 FGH50T65UPD 데이터 시트 페이지 11

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FGH50T65UPD 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
IGBT 유형Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)650V
전류-수집기 (Ic) (최대)100A
전류-수집기 펄스 (Icm)150A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.3V @ 15V, 50A
전력-최대340W
에너지 전환2.7mJ (on), 740µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지230nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C32ns/160ns
테스트 조건400V, 50A, 6Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)53ns
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-247-3
공급자 장치 패키지TO-247-3

관심을 가질만한 제품

제조업체

IXYS

시리즈

GenX3™

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

500A

전류-수집기 펄스 (Icm)

1200A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.6V @ 15V, 100A

전력-최대

1700W

에너지 전환

2.7mJ (on), 3.5mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

585nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

44ns/250ns

테스트 조건

480V, 100A, 1Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-264-3, TO-264AA

공급자 장치 패키지

TO-264 (IXGK)

IRG4IBC30UDPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

17A

전류-수집기 펄스 (Icm)

68A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 12A

전력-최대

45W

에너지 전환

380µJ (on), 160µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

50nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

40ns/91ns

테스트 조건

480V, 12A, 23Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

42ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack

공급자 장치 패키지

TO-220AB Full-Pak

IRG4BC10SD-SPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

14A

전류-수집기 펄스 (Icm)

18A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 8A

전력-최대

38W

에너지 전환

310µJ (on), 3.28mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

15nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

76ns/815ns

테스트 조건

480V, 8A, 100Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

28ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

D2PAK

APT50GT120B2RG

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

Thunderbolt IGBT®

IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

94A

전류-수집기 펄스 (Icm)

150A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.7V @ 15V, 50A

전력-최대

625W

에너지 전환

2330µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

340nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

24ns/230ns

테스트 조건

800V, 50A, 4.7Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

-

APT15GN120BDQ1G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

45A

전류-수집기 펄스 (Icm)

45A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 15A

전력-최대

195W

에너지 전환

410µJ (on), 950µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

90nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

10ns/150ns

테스트 조건

800V, 15A, 4.3Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247 [B]

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ZTB800J

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NC7WZ04P6X

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