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FGD4536TM

FGD4536TM

참조 용

부품 번호 FGD4536TM
PNEDA 부품 번호 FGD4536TM
설명 IGBT 360V 125W DPAK
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 8,694
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 7월 12 - 7월 17 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FGD4536TM 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FGD4536TM
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
FGD4536TM, FGD4536TM 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 1,130.19 KB)
PDFFGD4536TM 데이터 시트 표지
FGD4536TM 데이터 시트 페이지 2 FGD4536TM 데이터 시트 페이지 3 FGD4536TM 데이터 시트 페이지 4 FGD4536TM 데이터 시트 페이지 5 FGD4536TM 데이터 시트 페이지 6 FGD4536TM 데이터 시트 페이지 7 FGD4536TM 데이터 시트 페이지 8

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FGD4536TM 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
IGBT 유형Trench
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)360V
전류-수집기 (Ic) (최대)-
전류-수집기 펄스 (Icm)220A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic1.8V @ 15V, 50A
전력-최대125W
에너지 전환-
입력 유형Standard
게이트 차지47nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C-
테스트 조건-
역 복구 시간 (trr)-
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지TO-252, (D-Pak)

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

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IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

40A

전류-수집기 펄스 (Icm)

160A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 20A

전력-최대

160W

에너지 전환

110µJ (on), 230µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

98nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

27ns/100ns

테스트 조건

480V, 20A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

D2PAK

IRGS6B60KDTRLP

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

13A

전류-수집기 펄스 (Icm)

26A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 5A

전력-최대

90W

에너지 전환

110µJ (on), 135µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

18.2nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

25ns/215ns

테스트 조건

400V, 5A, 100Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

70ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

D2PAK

IXGF25N250

IXYS

제조업체

IXYS

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

2500V

전류-수집기 (Ic) (최대)

30A

전류-수집기 펄스 (Icm)

200A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

5.2V @ 15V, 75A

전력-최대

114W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

75nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

i4-Pac™-5 (3 Leads)

공급자 장치 패키지

ISOPLUS i4-PAC™

RGTH80TS65GC11

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

70A

전류-수집기 펄스 (Icm)

160A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 40A

전력-최대

234W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

79nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

34ns/120ns

테스트 조건

400V, 40A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

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APT44GA60BD30

Microsemi

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시리즈

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IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

78A

전류-수집기 펄스 (Icm)

130A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 26A

전력-최대

337W

에너지 전환

409µJ (on), 258µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

128nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

16ns/84ns

테스트 조건

400V, 26A, 4.7Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247 [B]

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