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FGD2N40L

FGD2N40L

참조 용

부품 번호 FGD2N40L
PNEDA 부품 번호 FGD2N40L
설명 IGBT 400V 7A 29W DPAK
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 4,608
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 7월 25 - 7월 30 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FGD2N40L 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FGD2N40L
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
FGD2N40L, FGD2N40L 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 224.95 KB)
PDFFGD2N40L 데이터 시트 표지
FGD2N40L 데이터 시트 페이지 2 FGD2N40L 데이터 시트 페이지 3 FGD2N40L 데이터 시트 페이지 4 FGD2N40L 데이터 시트 페이지 5 FGD2N40L 데이터 시트 페이지 6

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FGD2N40L 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
IGBT 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)400V
전류-수집기 (Ic) (최대)7A
전류-수집기 펄스 (Icm)29A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic1.6V @ 2.4V, 2.5A
전력-최대29W
에너지 전환-
입력 유형Logic
게이트 차지11nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C47ns/650ns
테스트 조건300V, 2.5A, 51Ohm, 4V
역 복구 시간 (trr)-
작동 온도-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지D-Pak

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

400V

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전류-수집기 펄스 (Icm)

150A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

8V @ 4.5V, 150A

전력-최대

45W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

-

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

공급자 장치 패키지

I-PAK

STGW60H65DF

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

120A

전류-수집기 펄스 (Icm)

240A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 60A

전력-최대

360W

에너지 전환

1.5mJ (on), 1.1mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

206nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

67ns/165ns

테스트 조건

400V, 60A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

62ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247

제조업체

IXYS

시리즈

GenX3™

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

200A

전류-수집기 펄스 (Icm)

600A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.35V @ 15V, 100A

전력-최대

780W

에너지 전환

2.7mJ (on), 6.6mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

450nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

39ns/295ns

테스트 조건

480V, 100A, 1.5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

PLUS247™-3

FGA15N120ANTDTU-F109

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

NPT and Trench

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

30A

전류-수집기 펄스 (Icm)

45A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 15A

전력-최대

186W

에너지 전환

3mJ (on), 600µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

120nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

15ns/160ns

테스트 조건

600V, 15A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

330ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-3P-3, SC-65-3

공급자 장치 패키지

TO-3P

APT27GA90BD15

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

900V

전류-수집기 (Ic) (최대)

48A

전류-수집기 펄스 (Icm)

79A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.1V @ 15V, 14A

전력-최대

223W

에너지 전환

413µJ (on), 287µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

62nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

9ns/98ns

테스트 조건

600V, 14A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247 [B]

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